4年12月已经量产。
NM110采用了革命性的电阻变化原理与三维堆叠技术，使得单颗芯片上能够集成超过百亿个非易失性存储器件，在存储容量上达到了行业领先水平。同时，该芯片的读写速度相比市场上现有的大容量非易失性存储产品提升了10倍以上，使用寿命也延长了5倍。如此卓越的性能，使NM101不仅能够满足数据中心和云计算厂商的需求，还为高密度、高带宽和低延时存储解决方案提供了强有力的支持。
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