珠海：重点发展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半导体衬底材料及外延片

自珠海市工信局官网消息，1月7日，珠海市工业和信息化局公开征求 《珠海市电子化学品产业发展三年行动方案（2025—2027年）（征求意见稿）》 意见。

其中提到，重点发展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化镓、磷化铟等新一代化合物半导体衬底材料及外延片；前瞻布局氧化镓、锑化镓、锑化铟等第四代半导体材料。同时，重点发展匀胶铬版光掩模版，KrF、ArF移项光掩模版，前瞻布局深紫外光（DUV）掩膜版。

还要紧盯“超摩尔时代”技术进步趋势，聚焦2.5D/3D集成与封装、芯粒技术（Chiplet）、异质集成先进封装等先进封装工艺配套需求，重点发展透明脂环族环氧树脂等有机封装材料；氧化铝等无机高性能陶瓷封装材料；晶圆载板等其他先进封装材料。