中国正在与ASML竞争。激光诱导放电等离子体(LDP)EUV产生商业化的推动是我所担心的光刻技术的“深度探索”时刻。
LDP比ASML使用的激光等离子体(LPP)效率高得多。LDP将少量的锡汽化成两个电极之间的云，然后使用高电压将锡蒸气转化为等离子体。电子与锡离子碰撞产生13.5nmEUV光。LPP需要高能激光和复杂的FPGA实时控制电路。
LDP方法更简单、更小、更具成本效益和更好的能效。
随附LDP生成方法与LPP的比较。
上海微电子的扩产计划，支持LDP技术的产业化，而茂莱光学是其供应商。
总结：LDP技术近期在半导体光刻机和航空通信领域取得显著进展，尤其是中国在EUV光源上的突破可能重塑全球半导体格局。未来需持续关注技术迭代、产业链协同及商业化落地进度。
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