关于导热明星——“氮化铝”
氮化铝是一种综合性能优良的陶瓷材料,对其研究可以追溯到一百多年前,1862年它是由F.Birgeler和A.Geuhter发现,1877年由J.W.MalletS首次合成。但在随后的100多年并没有什么实际应用,当时仅将其作为一种固氮剂用作化肥。1990s 初期 —— 出现了高质量的氮化铝基片和封装材料,并且在日美等发达国家逐渐实现了产业化;至今高导热氮化铝基板成为电子封装的常用材料,国内氮化铝陶瓷研究和产业化取得快速发展。
单晶氮化铝的热导率理论值可达 320 W/(m·k),室温下其热导率是 Al2O3的数倍,与氧化铍的热导率(理论值为 350 W/(m∙k))相近,并且无毒无害。理论上AlN陶瓷的热导率可达320W/(m·K),然而实际上AlN晶体并不具备完美无瑕的结构,晶体内存在着杂质和缺陷,声子在晶体内/间的传播,总会受到干扰或发生声子散射,因而AlN陶瓷的实际热导率很难做到200W/(m·K)以上。目前,氮化铝也存在一些问题,易水解和成本高。
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