重要会议：2025功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2025）将于5月22-24日在南京举办！
【芯友荟】对话烁科晶体总经理李斌，解锁烁科晶体核心竞争力及大尺寸碳化硅衬底制备技术与产业发展思考！——SEMICON China 2025专访精彩荟萃
以往相关信息：
》烁科晶体：全球首发12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅衬底
中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300mm）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅单晶衬底。
烁科晶体一直坚持聚焦碳化硅材料研发及生产，开拓碳化硅材料更广阔的应用场景。先后攻克了大尺寸扩径工艺、高纯半绝缘碳化硅衬底关键工艺和低缺陷N型衬底的生长工艺。全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底的成功研制，将加速碳化硅材料在VR眼镜、热沉等新应用场景的进一步拓展。
未来，烁科晶体将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶衬底的产业化技术，持续加大研发投入，充分发挥技术创新引领作用，打造核心竞争优势，从而带动创新链、产业链、生态链的创新与重构，引领行业向更高端化方向发展。
》总投资5.2亿！烁科晶体二期项目全面投产！
目前，烁科晶体公司二期碳化硅产线已经全面投产，标志着公司在碳化硅材料领域的领先地位进一步巩固。二期项目的投产将为烁科晶体每年新增20万片碳化硅衬底的生产能力，进一步推动其在全球碳化硅市场的布局。
烁科晶体的生产基地位于山西转型综合改革示范区潇河产业园太原起步区（北区），该项目分为两期建设。二期项目总投资达到5.2亿元人民币，主要在中国电科（山西）碳化硅材料产业基地的原有地块内建设碳化硅单晶生长车间，并购置相关生产设备，新增晶体生长设备。项目的二期扩建将直接外售部分产能，而根据订单要求进一步加工的产品将进入一期现有车间进行加工。
烁科晶体公司表示，二期项目投产后，新增的年产20万片碳化硅衬底将包含N型碳化硅单晶衬底、2.5万片高纯衬底及1.3吨莫桑晶体。这一产能的提升，不仅为下游客户提供更加多样化的选择，还进一步推动了碳化硅晶体技术的进步。
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