$中芯国际(HK|00981)$  中芯国际于今日（4月26日）正式取得国家知识产权局授权的磁随机存取存储器及其形成方法专利（授权公告号CN114188474B）。该技术通过创新的磁性隧穿结（MTJ）结构设计，实现了**非易失性存储、高速读写（速度比传统DRAM快10倍）、低功耗（静态功耗趋近于零）**等核心优势，尤其适用于人工智能、物联网、汽车电子等对数据处理效率和可靠性要求极高的领域。

- 技术背景：MRAM作为下一代存储技术，已被台积电、三星等国际巨头列为战略方向。中芯国际的专利布局显示其在28nm及以上成熟制程领域的技术储备，未来可通过与国内设计公司（如华为海思、紫光展锐）合作，加速该技术的商业化应用。

- 行业影响：该专利的获得可能提升中芯国际在存储芯片代工领域的竞争力，尤其在车规级芯片市场（如特斯拉已采用MRAM技术）。