8月1日，港股英诺赛科（02577.HK）股价大幅波动，午前拉升后午后一度涨超60%，截至收盘报58.6港元/股，上涨30.91%，总市值达515亿港元。核心驱动因素是当日英伟达（Nvidia）官网更新800V直流电源架构（800V HVDC）合作商名录，英诺赛科成为唯一入选的中国芯片企业，将为英伟达Kyber机架系统提供全链路氮化镓（GaN）电源解决方案。
英伟达更新合作名录 英诺赛科成唯一中国供应商
据英伟达官网信息，此次合作旨在推动800V直流电源架构在AI数据中心的规模化应用，目标是将单机房算力密度提升10倍以上，助力单机柜功率密度突破300kW，推动全球AI数据中心正式迈入兆瓦级（MW）供电时代。英诺赛科相关人士向媒体确认，公司与英伟达合作已有一段时间，主要凭借大功率氮化镓技术入围，但目前合作尚处于测试阶段，暂未产生实质性订单；因处于半年报发布阶段，不便对合作前景与影响作出回应。
英诺赛科的IDM优势与技术储备
英诺赛科成立于2015年12月，是专注于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，采用IDM（设计-制造-封测一体化）模式，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地。公司官网显示，其自主研发的8英寸GaN-on-Si量产线良率达95%以上，推动成本下降40%；当前月产能为1.3万片，计划2025年底提升至2万片，未来五年内扩大至7万片/月。技术方面，英诺赛科第三代GaN器件高频效率达98.5%，支持15V-1200V全电压场景，并提供高压/中压/低压三级DC-DC转换架构，实现从电网到GPU的端到端高效传输。
业界解读：AI数据中心的氮化镓需求与中国企业的全球参与
集邦化合物半导体分析认为，英伟达选择英诺赛科作为核心合作伙伴，主要看中其IDM全链优势——从衬底、外延、芯片设计到封装测试的一体化能力，以及“技术+产能+服务”的综合实力。IO资本创始合伙人赵占祥表示，英伟达选择中国氮化镓企业参与其800V架构，一方面说明氮化镓在缓解AI高算力能耗危机中的重要性，另一方面也体现中国半导体企业经过近10年发展，已具备参与全球市场竞争的能力，未来有望成长为世界级企业。
英伟达800V架构的行业意义
英伟达官网信息显示，当前AI数据中心采用54V DC机架，功率极限为200kW，而800V HVDC架构通过直接转换13.8kV高压交流电为800V直流电，消除中间转换步骤，端到端电源效率提高5%；同时减少电源单元（PSU）数量，维护成本降低70%，铜需求减少45%，助力单机柜功率突破300kW，为兆瓦级AI机架提供支撑。该架构计划2027年与Kyber机架系统同步投产，确保AI模型的无缝可扩展性。
（综合中国基金报、21财经、集邦化合物半导体报道）
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