$三安光电(SH600703)$  三安光电：8吋SiC芯片产线通线，第三代半导体产能布局加速

DT半导体

2025年08月26日

近日，国内半导体龙头企业三安光电通过互动平台披露，旗下湖南三安半导体基地在碳化硅（SiC）和硅基氮化镓（GaN）领域取得阶段性成果。

截至2025年8月，湖南三安已形成较完整的碳化硅产业链配套能力：6吋碳化硅产能达16,000片/月，8吋衬底与外延产能分别为1,000片/月和2,000片/月，并于近期正式实现8吋芯片产线通线。与此同时，硅基氮化镓产能也达到2,000片/月。整体产能规模在国内处于行业前列，标志着三安光电在第三代半导体国产化进程上进一步提速。

值得关注的是，湖南三安的8吋碳化硅芯片产线在7月时仍处于建设阶段，如今已完成设备调试并率先通线，项目进展快于预期。作为碳化硅器件制造的核心环节，8吋芯片产线的投产将大幅提升公司高端功率半导体的自给率和市场竞争力。

碳化硅凭借耐高温、高频、低损耗等特性，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域。目前全球市场仍由Wolfspeed、英飞凌等海外企业主导。三安光电在8吋产线上的突破，有望逐步打破国际技术壁垒，加快国产替代进程。

湖南三安的碳化硅业务覆盖衬底、外延和芯片环节，形成“全链条”协同布局。除碳化硅外，公司同步推动硅基氮化镓（GaN-on-Si）产业化，当前产能已达2,000片/月。硅基氮化镓以其高功率密度和低成本优势，在快充、电源管理及5G基站等市场需求旺盛。通过同时布局SiC与GaN，三安光电能够满足更广泛的功率半导体应用需求。

公司表示，后续将持续优化8吋芯片产线良率并加快产能爬坡，同时深化与新能源汽车、光伏等下游头部客户的合作。随着产线通线和产能释放，湖南三安有望在2025年下半年实现规模与市场的双重突破，为国产第三代半导体产业链自主可控注入新动能

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