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【SiC】调研更新：为什么CoWoS选择碳化硅

根据产业封装、衬底调研，基于热导率、可行性等多种因素考虑，#未来高功率AI芯片的CoWoS选择SiC作为中介层（interposer）基本已为主要的可行方案。

热导率领先当前可量产材料

SiC 300~490W/（m·K）；

硅约 150W/（m·K）；玻璃约 1W/（m·K）。金刚石热导系数更高，但实际量产难度过大。

为什么热导率重要

目前向上传热已有液冷等多种方式进一步解决，#但向下传热始终是难题，热量容易在局部堆积。

根据公开信息和KAIST，以单die维度，H100单位面积功率约0.86w/mm，Rubin 约1w/mm，下一代Feynman约1.2w/mm。

#伴随着多die和更多HBM的设计，热传导的压力进一步加大，因此热导率变得更加关键。

可行性上更为领先

#SiC的难点目前在于12吋衬底，大规模量产还需要一定时间。

从导热、应力、量产化等多个角度看，其他方案目前看来还达不到理论上完全可行，而SiC方案已经在安排12吋衬底的送样，主要等SiC的12吋产业化，目前看其他环节没有太多阻碍。

↗行业正加快重视相关布局

SiC做interposer从两三年前开始研发，近期推动送样测试。

#近期发酵也利于快速推动12吋的产业化，因为一旦大规模使用，目前12吋的产能缺口是巨大的。

部分衬底厂接到了不少客户关于这方面的问询，对于这个巨大的增量，产业链正积极推进。

我们认为从产业端、行业媒体等多维度都在肯定SiC作为未来CoWoS的重要增量，按我们此前测算，仅T的CoWoS增量就有望超越车规市场，#SiC市场空间有望翻倍，推荐重点关注！

SiC板块标的：晶升股份（设备）、闻泰科技（器件）、三安光电（衬底、外延）、天岳先进（衬底龙头）、晶盛机电（设备+衬底）、露笑科技、东尼电子、阳光电源等。