高能电子暴的影响
高能电子暴发生在外辐射带区域，运行在这一区域的卫星包括地球同步轨道卫星、中轨道导航卫星等。高能电子暴发生时，卫星轨道上激增的高能电子透过卫星的外壳屏蔽，积聚在卫星内部的印刷电路板、电缆等材料中，并产生高达数千伏的电位差，电位差增大到一定程度就会引起“闪电”—静电放电，静电放电会损坏卫星材料，破环电子器件，严重时甚至导致卫星报废，这种现象也被称为深层充电效应。
深层充电示意图
深层充电效应所造成的危害，大都表现为开关异常之类的软错误，近年来，多颗卫星由于深层充电效应引发卫星故障和失效，造成了巨大的影响。下面列举的事例都是上世纪九十年代高能电子暴引起的卫星故障或异常，这些事件都发生在太阳活动低年。
1994年加拿大Telesat公司的Anik E1和E2卫星相继出现故障，罪魁祸首就是冕洞高速流引发的高能电子暴。
1997年1月6-11日高能电子暴造成TELSTAR-401通讯卫星失效，损失高达7.12 亿美元；
1998年5月19日的太阳风暴引起磁层粒子暴，造成美国GALAXY-4通讯卫星由于内部充电而失效，它造成美国80％的寻呼业务的损失，无数的通讯中断，并使金融交易陷入混乱。
高能电子暴造成的卫星失效
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