存储芯片重要上游光刻胶

$南大光电(SZ300346)$  

ARF光刻胶作为193nm深紫外光刻核心材料，在存储芯片制造中具有关键作用，是存储产能突围的核心密钥，具体原因如下：

• 适配3D NAND多层堆叠工艺：随着3D NAND存储芯片的单层堆叠数不断增加，如突破500层，对光刻胶的平坦化性能要求大幅提升。ARF光刻胶能够满足这一要求，通过其超高分辨率实现高精度图形化，确保在多层堆叠过程中，每一层的电路图案都能精确转移，从而保证存储芯片的性能和良率，支撑存储芯片产能的提升。

• 解决高深宽比刻蚀难题：在存储芯片制造中，高深宽比刻蚀是一个关键工艺环节。ARF光刻胶具有良好的耐刻蚀性能和分辨率，能够在刻蚀过程中精确地定义图形，防止刻蚀偏差和图形失真，从而实现高深宽比的刻蚀效果，为存储芯片的高密度集成提供了可能，有助于提高存储芯片的容量和性能，进而推动存储产能的突破。

• 保障供应链稳定：在全球半导体产业面临地缘政治等因素影响的背景下，存储芯片供应链的稳定性至关重要。ARF光刻胶的国产替代进程加速，如南大光电等国内企业在ARF光刻胶研发和生产方面取得了重要进展，实现了部分国产化。这有助于减少对国外供应商的依赖，降低供应链风险，保障存储芯片的稳定生产，为存储产能的提升提供了有力的支持。

此外，从市场需求来看，全球每月晶圆产能预计从2025年的3500万片增至2030年的4800万片，其中3D NAND存储芯片扩产将推动ArF光刻胶需求激增。而ArF光刻胶的发展也受到政策的支持，国家科技重大专项等对光刻胶研发投入巨大，进一步促进了其技术进步和产能提升，使其在存储芯片产能突围中发挥着越来越重要的作用。