$南大光电(SZ300346)$  日本出口光刻胶等核心半导体材料未来会不断持续收紧,我们国产替代进程只会越来越强烈。

南大光电攻克高端壁垒:用于28nm及以下先进制程的ArF光刻胶技术壁垒极高,曾长期被日本企业垄断。南大光电实现了从实验室到量产线的跨越,并牵头国家"02专项",联合北京大学、南京大学等高校攻克了核心技术。

性能对标国际:其浸没式ArF光刻胶的缺陷密度已降至0.03个/cm,良品率高达99.7%。这些指标意味着产品已具备在实际产线中大规模替代进口的能力。

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