海威华芯已实现InP基外延片量产，并用于下游光芯片制造

关于“InP产品”（磷化铟产品），在海特高新及其控股子公司海威华芯（原名：成都海威华芯科技有限公司）的业务中，主要指以下几类：

1. InP 衬底（Substrate）

• 高纯度单晶磷化铟晶圆，通常为2英寸、3英寸或4英寸（6英寸仍在研发/小批量阶段）。
• 是制造光通信激光器、探测器等芯片的基础材料。
• 目前国内高端InP衬底仍部分依赖进口（如日本住友电工、美国AXT等），但海威华芯已实现国产替代突破。

注：海威华芯的6英寸化合物半导体产线以GaAs/GaN为主，InP外延目前多在较小尺寸衬底上生长，但可兼容于其6英寸工艺平台进行器件制造。

2. InP 外延片（Epi-wafer）

• 在InP衬底上通过MOCVD或MBE等技术生长多层半导体结构（如InGaAsP/InP量子阱）。
• 这是制造DFB/EML激光器芯片、光电探测器（PD/APD）的核心材料。
• 海威华芯已实现InP基外延片量产，并用于下游光芯片制造。

3. InP 基光芯片（间接供应）

• 海威华芯目前主要提供衬底和外延片，而非直接生产完整的激光器芯片（如EML芯片）。
• 但其外延片已通过华为海思等客户认证，由下游IDM或Fabless厂商（如源杰科技、长光华芯、华为内部团队）加工成光芯片。
• 因此，海特高新属于光模块上游材料/外延供应商，处于1.6T产业链关键环节。

官方确认信息（来自投资者互动平台，2025年8月20日）：

“公司参股公司华芯科技的磷化铟、砷化镓等产品用于光通信器件、光模块、光芯片等领域，已实现量产并持续向客户供货。”

这明确说明：

• InP产品 = 磷化铟材料（含衬底/外延片）；
• 应用场景 = 光通信（含高速光模块）；
• 状态 = 量产 + 供货。