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碳化硅衬底第一股”天岳先进登陆港股，拟扩大尺寸衬底产能

8月20日，国内“碳化硅衬底第一股”天岳先进（688234.SH，02631.HK）登陆港股，成为两市唯一“A+H”上市的碳化硅衬底公司。

继2022年年初登陆科创板后，2024年年底，天岳先进披露了赴港上市计划，8个月后正式登陆港交所。

天岳先进本次全球发售4774.57万股H股，发行价为每股42.8港元，募集资金总额约20.4亿港元。截至8月20日收盘，天岳先进H股涨6.4%，收报45.54港元/股。

今年以来，多家碳化硅企业组团赴港上市。不止天岳先进，碳化硅功率器件企业基本半导体、碳化硅外延晶片企业瀚天天成以及天域半导体也向港股发起冲击。

作为第三代半导体材料的一种，碳化硅（SiC）材料因具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，使得基于该材料的功率器件在高效能量转换、快速开关速度、高耐压和低导通损耗方面表现出色，特别适用于高压、大功率半导体功率器件领域。

在SiC功率器件成本结构中，衬底占比高达47%。银河证券指出，碳化硅（SiC）衬底在SiC器件中占据核心地位，其质量和尺寸直接影响器件性能与成本，技术壁垒和成本结构决定了整个产业的商业化进程。

天岳先进自2010年成立以来，一直专注于研发及生产碳化硅衬底。根据弗若斯特沙利文的资料，按2024年碳化硅衬底的销售收入计，天岳先进是全球排名前三的碳化硅衬底制造商，市场份额为16.7%。

其透露，该公司的客户主要利用碳化硅衬底制造功率器件及射频器件，这些器件最终应用于电动汽车、AI数据中心及光伏系统等领域的终端产品。

目前，碳化硅下游需求近80%来自新能源汽车。2025年1-5月，我国新能源上险乘用车主驱模块中，SiC MOSFET占比为18.6%。而随着800V以上高压车型的渗透率提升，碳化硅器件在电驱系统的渗透率也将持续提升。

其次来自AI。随着全球AI市场规模的快速增长，数据中心对电力需求也在快速走高。在数据中心中，传统硅基供电系统效率约为85%至88%，有12%至15%的电能以热能形式浪费。碳化硅功率器件的应用一方面能提升能源效率，另一方面能支持AI服务器对机架电源的功率密度要求。