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美光业绩指引超预期存储涨价或影响下游出货

  美光业绩指引超预期,公司预计2026年DRAM与NAND行业bit出货增长约20%。根据闪存市场和华尔街见闻,美光发布其第一财季业绩,该季度调整后营收136.4亿美元,同比增长57%,高于市场预期的129.5亿美元。非GAAP下摊薄后每股收益为4.78美元,高于市场预期的3.95美元。业绩超预期主要受益于存储芯片供应趋紧、价格大幅上涨,以及人工智能数据中心需求迅猛增长。分产品类型看,DRAM营收占比79%,Bit出货量环比小幅增长、ASP环比增长约20%,NAND营收占比20%,Bit出货量环比增长中高个位数百分比(5%-9%)、ASP环比增长约15%。截至该财季末库存为82亿美元,环比下降1.5亿美元,库存天数为126天,DRAM库存天数低于120天仍较为紧张。

  公司表示,2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议,预计到2028年,HBM潜在市场规模(TAM)的复合年增长率(CAGR)约为40%,从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元,这一市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。公司对下一季度非GAAP下EPS指引中值达8.42美元,比市场预期4.78美元高出约75%。

  美光2026财年资本支出指引由此前的180亿美元上调至约200亿美元,同比增长约48%。此项增加的资金将主要用于支持其在2026日历年的HBM供应能力及1-gamma工艺节点产能。美光正加紧下单采购设备并加速安装,以最大化产出能力。公司预计2026日历年DRAM与NAND行业bit出货增长将受到行业整体供应能力的制约,预计均将较2025年实现约20%的增长

  预计2026Q1存储价格环比上涨,2026年全球智能手机及笔电出货预测或调降。闪存市场2026年存储市场展望报告指出,预计2026Q1Server、Mobile、PC相关存储产品市场价格季度环比将上涨20%以上,且全年各季度均有望保持环比上涨。根据TrendForce集邦,存储器步入强劲上行周期,导致整机成本上扬,并将迫使终端定价上调,进而冲击消费市场。其下修2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测,从原先的年增0.1%及1.7%,分别调降至年减2%及2.4%,且存在进一步下修风险。

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