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年产24万片！比亚迪SiC项目正式量产，1500V芯片供货超级e平台

近日，宁波比亚迪半导体新型功率半导体芯片产业化及升级项目通过竣工环境保护验收，标志着国内规模领先的碳化硅（SiC）芯片产线正式具备规模化量产能力，将为国产第三代半导体产业突围注入关键动力。

该项目总投资7.44亿元，依托宁波保税区3.43万平方米厂房升级改造，历经设备提升、调试等阶段后顺利通过验收。产线升级后聚焦高端功率器件，年产能调整为24万片SiC芯片（含TVS、SBD等配套产品），以及7.8万片IGBT芯片、7.8万片FRD芯片，其中1200V沟槽栅SiC MOSFET实现月产超1万片的稳定供应，比亚迪此前发布的1500V车规级SiC芯片也由该产线产出。

技术层面，项目引进碳化硅干法刻蚀机等关键设备，采用6英寸SiC衬底材料，凭借比亚迪IDM全产业链优势，实现从芯片设计、晶圆制造到封装测试的自主可控。借助宁波海关“保税研发”专用账册政策，项目研发周期缩短30%，物料通关效率提升40%，大幅降低了研发成本。

作为第三代半导体核心器件，SiC芯片具有高耐压、低损耗、小体积等优势，应用于新能源汽车800V高压平台可显著提升电驱效率与续航能力。比亚迪这款1500V SiC芯片已配套超级e平台，助力实现“闪充5分钟，畅行400公里”的快充体验，同时为仰望品牌易四方技术提供核心支撑，其毫秒级电流控制能力可实现四电机精准驱动。

当前SiC市场正迎来替代IGBT的关键阶段，比亚迪24万片年产能的释放，不仅将缓解国内高端车规级SiC芯片供应缺口，更凭借本土化产业链优势对冲国际市场价格波动，推动国产SiC器件在新能源汽车、工业控制等领域的渗透率提升