1月12日消息，中国台湾经济日报报道，受益于DRAM（动态随机存取存储器，即内存）与NAND Flash（闪存，即硬盘存储）大厂全力冲刺出货，力成、华东、南茂等头部封测厂商订单蜂拥而至，多家厂商证实“订单真的太满”，现有产能已无法满足需求。为应对成本与供需失衡，各家厂商已正式启动首轮涨价，涨幅直逼30%，且这股涨价潮预计将从一季度起直接体现在财报业绩中。
面对持续涌入的订单，厂商态度转趋强硬。相关企业透露，若供需紧张态势持续，不排除短期内启动第二波涨价。与此同时，南茂等厂商因仅能满足约八成客户订单，正紧急向外采购设备以扩充产能。市场分析指出，随着各大存储原厂将资源集中于先进工艺，标准型产品供给受挤压，这将推升封测端议价能力。
另据韩媒报道，近期全球存储芯片价格持续攀升，美国科技巨头谷歌、微软已紧急派遣采购团队飞赴韩国首尔，意在从三星电子、SK海力士手中争取紧缺的DRAM芯片供货。报道提及，韩国板桥与平泽地区的酒店已被此类求购芯片人员的团队挤满。
报道引述价格数据显示，8GB DDR4内存平均价格已从去年1月的1.40美元，上涨至12月的9.30美元。此次采购行动的核心目标被视为在价格进一步走高前锁定关键货源。
有分析指出，造成此次封测产能紧缺的核心原因，在于上游晶片原厂的策略重心转移。
随着三星电子、SK海力士及美光科技三大巨头全力扩充AI专用的HBM（高带宽内存）产能，其资源高度集中于先进及封装制程，导致标准型DRAM与NAND晶片的产出受到同步排挤，旧规格产品供给迅速转趋吃紧。
需求端方面，伴随云端与工控市场需求回温，DDR4、DDR5与NAND晶片的拉货动能强劲，进一步点燃了后段封测需求。这种供需错配使得主要封测厂产能利用率飙升，为涨价提供了坚实基础。
目前，中国台湾主要封测厂均处于满负荷运转状态。对于涨价议题，上述厂商均表示将依照市场需求进行弹性调整。
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