重磅利好！西安电子科技大学突破芯片散热世界难题！这些A股公司将直接受益！

重磅利好！西安电子科技大学突破芯片散热世界难题！这些A股公司将直接受益！

我国科研再传捷报！西安电子科技大学郝跃院士团队在《自然·通讯》和《科学进展》两大国际顶刊发表突破性成果，创新性利用高能离子"抛光"技术，成功将半导体热阻降至原来的1/3。这项持续20年的世界级散热难题被攻克，标志着我国在第三代半导体领域取得重大突破。

芯片散热效率的提升意味着：5G基站能耗将大幅降低，新能源汽车功率模块性能将跃升，AI算力芯片运行更稳定，国防装备可靠性再上新台阶！

核心受益方向梳理：

1.核心材料与制造

散热技术的突破直接降低了第三代半导体（氮化镓GaN、碳化硅SiC）的制造门槛和应用瓶颈，材料性能和器件良率有望提升，刺激下游需求爆发。

· 三安光电：化合物半导体全产业链龙头，氮化镓/碳化硅技术领先。

· 天岳先进：碳化硅衬底国内领军，高端衬底需求有望爆发。

· 士兰微：硅基氮化镓功率器件深度布局，高压半导体领域领先。

· 闻泰科技：安世半导体车用氮化镓器件全球领先。

· 晶盛机电：碳化硅长晶设备龙头，扩产周期受益者

· 捷捷微电：与西电科大深度合作研发氮化镓器件，技术协同优势显著，直接受益于散热技术的产业化落地。

2.芯片设计与IDM

散热是限制芯片性能的最终边界。边界拓宽后，设计公司可以推出性能更强大、效率更高、体积更小的新一代产品，实现产品迭代和价值跃升。

· 斯达半导：国内IGBT模块龙头，并大力布局碳化硅模块。散热是功率模块的核心痛点，此技术能助其推出功率密度更高、更可靠的旗舰产品，巩固在新能源车、光伏等领域的优势。

· 华润微：国内领先的半导体IDM企业，拥有成熟的氮化镓功率器件产品线。技术突破有助于其产品在快充、数据中心等市场打开新局面。

· 新洁能：在MOSFET、IGBT等功率器件设计领域实力突出。散热改善有利于其设计出更高效、更紧凑的电源管理芯片。

3. 关键设备与部件

任何半导体制造技术的革新，都需新的工艺和设备来实现。本次突破采用的"高能离子"技术，将带动特定半导体设备及核心部件的需求增长。

· 北方华创：国内半导体设备平台型公司，其刻蚀、薄膜沉积等设备是制造此类先进芯片不可或缺的环节。

· 英杰电气：在半导体领域，其射频电源可用于离子注入、刻蚀等关键工艺。本次技术突破涉及“高能离子注入”，相关设备及核心部件供应商间接受益。

· 中科电气：旗下子公司涉及半导体离子注入技术相关业务。

· 先导基电：通过收购凯世通切入离子注入机领域，是国产设备重要供应商。

·江丰电子：半导体离子注入靶材国内龙头，技术突破将带动高精度靶材的需求增长。

4. 高端应用与终端

终端应用是技术突破价值的最终出口。散热问题解决后，终端产品的性能、能耗和体积将得到优化，竞争力全面提升。

· 中兴通讯：5G基站AAU需要大量高效、耐高温的氮化镓射频芯片。散热技术的进步直接关系到5G基站能耗和性能，是重大利好。

· 紫光国微：特种集成电路对可靠性和恶劣环境适应性要求极高。散热能力增强将直接提升其在航天、航空、兵器等高端装备中的芯片性能与可靠性，护城河加深。

· 英维克/中石科技：液冷、热界面材料等散热方案供应商，技术突破将与主动散热形成协同效应。

此外，“烽火通信”与西电在光芯片领域长期合作，其成果有望先惠及长期合作伙伴！

这项"中国范式"的散热解决方案，不仅解决了第三代半导体的卡脖子问题，更为整个半导体产业升级打开了新空间。

我国半导体自主可控的宏大叙事，正在添上坚实而耀眼的一笔。从材料、设备到应用，全产业链都将迎来新一轮发展机会$通富微电(SZ002156)$  $汉缆股份(SZ002498)$  $特变电工(SH600089)$