截至2026年1月17-18日(本周末),北京君正核心利好集中在存储涨价+车规与先进制程兑现+国产替代政策催化三方面,无官方公告式突发利好,多为市场逻辑与数据强化。
核心利好要点
- 存储涨价与业绩弹性:全球存储周期上行,车规DRAM预计2026年涨幅超70%;公司29.2亿元存货按行业约30%增值幅度测算,Q4或增利8.7亿元,环比预增近20倍,且未计入自身业务增长。
- 产品与产能升级:2026年DDR4/LPDDR4占比显著提升;16/18nm先进制程车规存储即将批量供货,毛利率更高,卡位高端车规增量 。
- 车规存储高壁垒:车规SRAM全球市占第一、车规DRAM全球第二,客户粘性强、认证周期长,涨价红利确定性高。
- 政策与国产替代:科技部聚焦芯片攻关,叠加存储国产替代加速,利好公司份额提升;美系大厂产能向HBM转移,利基存储缺口扩大至15-20%,国产厂商量价齐升逻辑强化。
利好强度与催化
- 强度:以存储涨价与业绩兑现为最强,叠加车规与先进制程,构成核心增长引擎。
- 催化:无强制公告,但市场对Q4业绩与2026年先进制程量产预期升温,或推动股价弹性释放 。
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