卓胜微有涉及氮化镓相关业务。具体表现如下：技术工艺：采用GaAs - on - SiC（碳化硅基氮化镓）工艺，兼顾高频性能与散热需求，功率耐受能力较传统SAW提升5倍。专利成果：2025年10月3日获得发明专利授权“一种线性度提高的氮化镓器件及其制备方法”，该发明可实现器件跨导平坦度调制，提高线性度，还能降低外延设计成本。技术攻坚：作为射频企业，在氮化镓前端模块、功率放大器等方向持续进行技术攻坚。业务主攻：主攻氮化镓在5G基站射频芯片上的应用。