$斯达半导(SH603290)$  

相比2023年，斯达半导2024和2025年扣非净利润大幅下跌的核心原因可分解为以下因素，并按影响程度、持续性及性质分类说明：

一、主要影响因素：研发投入激增（长期战略因素）

1. 影响程度  

   2024年研发费用同比增加23.27%至3.54亿元，2025年前三季度研发费用同比增加1.16亿元，直接拉低当期利润。以2024年为例，研发费用增长约6,700万元（3.54亿-2.87亿），按税率估算对净利润影响约5,000万元，占扣非净利润降幅（45.01%）的约10%-15% 。

2. 持续性与性质  

   - 长期性：研发投入用于下一代IGBT、SiC MOSFET、GaN等技术及封装开发，属于技术储备和市场卡位的长期战略，未来可能持续增加。  

   - 必要性：公司需通过技术迭代应对国际竞争（如英飞凌、安森美），并抢占AI服务器、机器人等新兴市场，短期阵痛难以避免。

二、核心拖累因素：行业价格竞争与毛利率下滑（长期行业因素）

1. 影响程度  

   2024年毛利率从37.51%降至31.55%，降幅5.96个百分点，直接导致利润同比减少约3.5亿元（按营收33.91亿元计算）。2025年毛利率未明显改善，价格压力仍存。

2. 持续性与性质  

   - 长期性：功率半导体行业产能扩张导致供过于求，价格战可能持续至2026年。  

   - 阶段性缓解可能：若新能源需求回暖或新兴市场放量，部分产品价格或企稳，但全面改善需行业供需平衡调整。

三、阶段性因素：新能源行业需求波动

1. 影响程度  

   2024年新能源行业收入同比下降6.83%，其中光伏分立器件收入大幅下滑；2025年新能源收入恢复增长（如光伏大组串产品放量），但前期库存调整拖累利润。

2. 持续性与性质  

   - 阶段性：光伏库存调整已逐步结束，2025年下半年新能源收入环比增长53.05%，预计2026年持续复苏。  

   - 潜在风险：新能源行业需求受政策和周期性影响，若补贴退坡或技术路线变化，可能再次承压。

四、短期成本压力：产能爬坡与资产折旧

1. 影响程度  

   SiC芯片和高压工艺芯片募投项目2024年结项后进入产能爬坡，固定资产折旧增加。2024年资产减值损失同比大幅上升（计提存货跌价准备增加），进一步侵蚀利润。

2. 持续性与性质  

   - 短期性：产能爬坡预计2-3年内完成，折旧压力随产能利用率提升而缓解。  

   - 管理可控：需加速芯片业务客户验证（如车规级SiC MOSFET自主产线），缩短爬坡周期。

五、其他次要因素

1. 费用率上升：2025年一季度销售、管理及财务费用合计同比增长39.94%，费用率升至2.77%，对净利润形成拖累。  

2. 资产减值损失：2024年计提存货跌价准备增加，反映市场需求波动下的库存风险。

总结：影响程度排序与未来展望

1. 主要因素：研发投入激增（直接影响利润）＞行业价格竞争（侵蚀毛利率）＞新能源需求波动（收入与成本双重压力）。  

2. 长期风险：行业价格竞争可能持续，需技术突破实现差异化；研发投入若未转化为产品竞争力，可能进一步拖累利润。  

3. 潜在改善点：新能源需求复苏、新兴市场放量（如AI服务器）、产能爬坡完成后的成本优化。

未来可期。