$江丰电子(SZ300666)$  

先给结论：HBM晶圆的靶材总用量≈普通DRAM的3–5倍；单颗8层HBM3≈9片晶圆的靶材消耗。

一、HBM晶圆用哪些靶材（核心）

• 铜靶（Cu）：TSV填充、RDL重布线、微凸点；用量最大

• 钽靶（Ta）/氮化钽（TaN）：TSV阻挡层、扩散阻挡；HBM比普通DRAM多2–3倍

• 钛靶（Ti）/氮化钛（TiN）：粘附层、阻挡层；用量显著提升

• 钨靶（W）：高深宽比TSV填充、接触孔；HBM用量翻倍

• 钴靶（Co）：先进节点Cu互连封盖、TSV衬层；1/1工艺刚需

二、单12英寸HBM晶圆靶材用量（估算）

以12英寸（300mm）、1/1工艺、HBM3为例：

• 铜靶：≈0.8–1.0g/片晶圆（普通DRAM≈0.25–0.3g）

• 钽靶：≈0.15–0.2g/片晶圆（普通DRAM≈0.05–0.07g）

• 钛靶：≈0.08–0.1g/片晶圆（普通DRAM≈0.03g）

• 钨靶：≈0.1–0.15g/片晶圆（普通DRAM≈0.05g）

• 钴靶：≈0.05–0.08g/片晶圆（普通DRAM≈0.02g）

单HBM晶圆合计≈1.2–1.5g金属靶材；普通DRAM≈0.4–0.5g；HBM≈3倍。

三、单颗HBM芯片总靶材需求（8层HBM3）

• 8层DRAM晶圆 + 1层Base Die = 9片晶圆

• 单颗总靶材：9 × 1.2–1.5g ≈ 10.8–13.5g 金属靶材

• 对比：同容量普通DRAM ≈ 3–4.5g；HBM≈3倍

四、关键影响因素

• 堆叠层数：16层HBM4 → 17片晶圆 → 靶材≈1.9倍

• 工艺节点：1/1（更先进）→ TSV更密 → 靶材+20–30%

• 良率：HBM良率≈40–50% → 实际耗靶×2

• 利用率：靶材实际利用率仅30–40% → 采购量×2.5

五、行业口径（便于对标）

• 行业共识：HBM靶材用量=普通DRAM×3–5倍

• 1GB HBM耗晶圆≈DDR5的4倍 → 靶材同步放大

• 2026年HBM占DRAM产能≈20% → 靶材需求结构性暴增