13N锗单晶，锗单晶里的劳斯莱斯

有研国晶辉申请高占比13N锗单晶及其制备方法专利，降低锗单晶纯化晶段中的杂质含量制备得到高占比13N锗单晶

国家知识产权局信息显示，有研国晶辉新材料有限公司申请一项名为“一种高占比13N锗单晶及其制备方法”的专利，公开号CN121065807A，申请日期为2025年7月。

专利摘要显示，本发明涉及单晶制备技术领域，具体公开一种高占比13N锗单晶及其制备方法。本发明提供的高占比13N锗单晶的制备方法通过控制提拉单晶的步骤将制备得到的锗单晶分为杂质晶段和纯化晶段，锗单晶中的杂质集中分布在杂质晶段，降低了纯化晶段的杂质含量，然后利用纯化晶段进行进一步提拉，聚集杂质，降低锗单晶纯化晶段中的杂质含量制备得到高占比13N锗单晶。