国家发改委价格监测中心2月28日发布权威监测数据，2025年9月至今全球存储芯片市场迎来爆发式涨价，核心驱动因素为AI算力需求激增、产能断崖式紧缺，市场供需缺口持续扩大，近1个多月涨价幅度进一步提速。截至2026年1月，DRAM、NAND闪存价格双双创下2016年以来历史新高，主流DDR4 8Gb DRAM合约价达11.5美元，环比上涨24%、较2025年9月暴涨83%；128Gb NAND闪存合约价9.5美元，环比上涨65%、较2025年9月涨幅近1.5倍。本轮涨价并非短期波动，而是存储芯片行业进入明确上涨周期的信号。从需求端看，AI服务器成为核心推手，集邦咨询数据显示，2026年全球AI服务器出货量预计同比增长超28%，单台AI服务器内存需求是传统服务器的8倍，OpenAI、微软等科技巨头每月消耗全球近50%的DRAM产能，直接引爆高端存储需求；从供给端看，三星、SK海力士、美光三大巨头垄断全球90%以上DRAM产能，纷纷采取“减产保价、弃低追高”策略，将80%以上先进产能转向高毛利HBM高带宽内存，消费级存储产能大幅缩减，叠加晶圆厂扩产需1.5-2年周期，短期供给无法匹配需求。