光莆股份有未来，有趋势。

光莆股份（化合积电）：光莆股份参股公司化合积电已具备较为完整的金刚石半导体材料解决方案，并实现规模化生产。作为国内首家实现MPCVD技术规模化量产多晶金刚石的企业，其金刚石热沉片具备超高的热导率，热导率可达100-220W/(m·K)，晶圆级金刚石表面粗糙度Ra小于1nm，可有效为高发热芯片提供散热支持，金刚石产品已批量应用于航空航天、高功率半导体激光器、光通信、芯片散热等高端领域。

随着AI大模型向万亿参数迭代，高端GPU的计算密度与功耗呈现指数级增长。英伟达新一代Vera Rubin架构GPU预计单芯片TDP将达到1.8-2.0kW，芯片局部热点热流密度在实际部署中已达200-400W/cm，极端负载下瞬时峰值接近600W/cm，远超传统散热方案的承载极限。传统散热路径中，铜质散热（热导率约401W/m·K）、氮化铝热沉（热导率约230W/m·K）已无法满足高热流密度的散热需求，成为制约GPU算力释放、寿命提升的核心瓶颈——散热效率不足会导致芯片降频运行，同时加速器件老化，严重影响AI服务器的稳定性与运行效率。

化合积电深耕金刚石材料领域多年，已实现从技术研发到规模化生产的完整布局，其核心技术优势成为打动英伟达的关键：

一是键合技术突破，解决行业核心痛点。金刚石表面粗糙度是键合良率的关键，行业核心指标为Ra＜1nm，化合积电通过技术攻关，实现单晶金刚石表面粗糙度达Ra≤0.5nm，1-2英寸多晶金刚石Ra＜1nm，为晶圆键合提供了高可靠材料支撑，完美适配GPU芯片的封装需求。

二是产品性能卓越，适配高端场景。化合积电的CVD金刚石热沉片热导率可达2000W/m·K以上，与英伟达测试标准高度匹配，可使GPU热点温度降低约60%，同时助力算力提升3倍、能耗降低40%，显著优于传统散热材料。

三是量产能力成熟，保障稳定供货。化合积电呼和浩特金刚石智造基地已正式投产，形成了“三位一体”的战略布局，具备规模化生产能力；同时，公司通过技术优化，逐步降低CVD金刚石的制备成本，提升产品性价比，能够满足英伟达大规模量产的需求。此外，化合积电还针对性开发出低成本、准确率高的热导率测试装置及系统，为产品质量提供了可靠保障。