$京东方Ａ(SZ000725)$  南京大学缪峰/梁世军团队与京东方陈小川团队联合研发的IGZO准非易失DRAM存算一体芯片，成果于IEDM 2025发布，2026年2月南大官方公布。

核心亮点

材料与工艺：基于IGZO（铟镓锌氧化物），用京东方成熟柔性面板TFT工艺在聚酰亚胺基板制备；4T1C单元结构，可简化为2T1C；漏电流低至10⁻⁸A。

性能突破：8级权重下无刷新保持超10万秒（约27.8小时，实现存储一次、保持一天）；263级高精度仍能保持2000秒；兼顾高擦写寿命、精细多态模拟可调，破解存算“不可能三角”。

计算能力：内存内并行完成向量-矩阵乘法（VMM），自校准写入消除器件不均带来的误差，适合端侧AI推理的低功耗、高速运算。

产业化潜力：可迁移至高世代面板产线，具备低成本、大面积、柔性化、高良率优势。