一、核心逻辑
磷化铟（InP） 是第二代化合物半导体，800G/1.6T/3.2T光模块EML激光器唯一成熟衬底，也是卫星通信、6G射频、车载雷达核心材料。
- 全球供给高度垄断（住友、AXTI），国产替代+AI算力驱动，供需缺口持续扩大。
- 产业链弹性：衬底 > 外延/光芯片 > 高纯铟。
二、A股核心个股（按环节）
1⃣ 衬底（壁垒最高、涨价弹性最大）
- 云南锗业（002428）：国内唯一量产6英寸InP衬底；子公司鑫耀半导体（华为哈勃入股）；2-4英寸15万片/年，6英寸良率70%+；2026年扩至40万片；客户：华为、中际旭创、光迅。
- 有研新材（600206）：7N高纯铟龙头；6英寸InP衬底中试、送样；全产业链布局。
2⃣ 外延片/光芯片（中游核心）
- 源杰科技（688498）：InP光芯片IDM龙头；50G DFB市占40%+、100G EML国内领先；英伟达认证；800G/1.6T光模块核心配套。
- 三安光电（600703）：化合物半导体全平台；6英寸InP外延片月产5万片、良率85%+；覆盖EML/射频，绑定华为/中兴。
- 光迅科技（002281）：光模块龙头；自研InP芯片，垂直整合衬底→外延→芯片→模块。
- 仕佳光子（688313）：InP基AWG、光芯片，数据中心/5G配套。
- 跃岭股份（002725）：参股中石光芯（10.89%），InP外延/光芯片，进入英伟达供应链测试。
3⃣ 高纯铟（上游原料）
- 锡业股份（000960）：全球铟资源/产能双龙头；储量4821吨（全球第一）；7N高纯铟量产；InP核心原料商。
- 株冶集团（600961）：精铟年产能60吨，高纯铟供应。
三、投资要点（风险提示）
- 核心标的排序：云南锗业（衬底）> 源杰科技（光芯片）> 三安光电（外延）> 锡业股份（铟）。
- 催化：800G/1.6T光模块放量、6G试验、卫星互联网、InP涨价、国产替代加速。
- 风险：技术迭代、扩产不及预期、竞争加剧、估值偏高。
- 信息仅供参考，不构成投资建议。
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