存储芯片（DRAM/NAND/HBM）盯盘清单（2026-03-23）
DRAM（内存）
- 当前现货（3月）
- DDR4 8Gb：15美元（较2025低点+369%）
- DDR5 16GB：39美元（2月环比+7.4%）
- 服务器64GB RDIMM：900美元+（较2025Q4翻倍）
- Q1合约涨幅：+90%–95%（历史最大）
- Q2预期涨幅：+30%–50%（机构一致）
- 关键价位：DDR5 16GB 45美元、64GB RDIMM 1200美元（Q2目标）
NAND Flash（闪存）
- 当前现货（3月）
- 1TB TLC晶圆：25美元（2月单月+25%）
- 手机256GB NAND：同比+80%–90%
- Q1合约涨幅：+55%–70%
- Q2预期涨幅：+30%–45%（手机端+40%–45%）
- 关键价位：1TB TLC 32美元、消费级SSD +35%–40%（Q2目标）
HBM（高带宽内存）
- 现状：产能被英伟达/微软100%锁单，缺口50%–60%
- 价格：为普通内存数倍，涨幅最猛
- Q2预期：继续暴涨，HBM4较HBM3e溢价20%–30%
- 关键信号：大厂HBM订单排至2027年
核心判断（2026）
- 全年：涨价贯穿2026，短缺至2027年
- 节奏：Q1涨幅峰值，Q2–Q4涨幅收窄但仍上行
- 供需：DRAM缺口4.9%、NAND4.2%、HBM5.1%（15年最高）
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