$盛合晶微(SH688820)$  核心技术水平与地位

1）中段硅片加工（Bumping/CP）：国内绝对龙头

12 英寸 Bumping：大陆最早且唯一稳定量产 28/14nm 节点，良率 99%+，比肩日月光 / 安靠。

铜凸块（Cu Pillar）/RDL：线宽 / 线距2μm/2μm，达全球主流水平；CP 测试覆盖率 100%，服务高通、寒武纪等盛合晶微半导体（江阴）有限公司。

技术地位：中段加工能力国内第一、全球第四，是先进封装的 “卡脖子” 基础环节。

2）晶圆级封装（WLCSP）：全球一线，国产标杆

WLCSP：最小尺寸0.4mm×0.4mm，I/O 密度达1000+，用于手机 / AIoT 芯片，全球前五、大陆第一盛合晶微半导体（江阴）有限公司。

技术地位：国内唯一能量产高 I/O 密度 WLCSP的企业，良率与成本接近国际巨头。

3）2.5D/3D（Chiplet）：国内垄断，全球先进

2.5D 封装（硅中介层）：大陆唯一大规模量产，国内市占85%+；支撑国产 GPU/AI 芯片（如壁仞、沐曦），技术对标台积电 CoWoS、日月光 FO-EB，全球第二梯队顶尖水平。

3D SiP（SmartPoser™）：自研三维集成平台，中美专利，实现高密度垂直互连（间距 < 50μm），用于 AI / 高性能计算，国内唯一、全球前五盛合晶微半导体（江阴）有限公司。

技术地位：国产替代核心突破点，打破海外垄断，支撑国产高性能芯片 “卡脖子” 环节。