光芯片与光模块专家调研：东山精密/索尔思/长光华芯/源杰科技/Coherent/Lumentum/中际旭创/是德/Tower/羲禾/森一/鑫耀/鼎泰 /先导
这次的专家应该是大厂当中，大家最关心的那一家。主要聊光芯片与光模块产业链，涉及EML、CW激光器与设备紧缺全貌等等。
当前光通信产业链正经历从800G向1.6T代际切换的关键窗口期，光芯片认证加速、设备瓶颈凸显、物料供应紧张，国产替代机遇与挑战都有。
专家指出， 光芯片领域呈现“EML认证周期长、CW激光器供应格局分化”的特征。100G EML芯片已完成所有客户认证并批量供货，200G EML芯片已通过Meta认证，但在谷歌的认证预计要到2026年第四季度才有结果。CW激光器方面，100mW版本已通过AWS、Oracle和Meta认证，而400mW高功率版本处于送样阶段，已向英伟达提供了用于elsfp外置光源的样品。
专家强调， 客户选择供应商最关注两大核心因素：产品自身的性能与可靠性（这是合作前提），以及供应商的实际产能与交付能力。近期行业内部分厂商交付未达预期，凸显了产能和供应链的重要性。对于CSP厂商而言，供应链风险是其高度关注的焦点。
一、800G与1.6T光模块需求全景
800G光模块主要客户构成： 当前主要客户是Meta，其次是Oracle，AWS和微软合计也有几十万只订单。全年总出货量预计在550万至600万只。
1.6T产品产能指引： 提供产能指引的主要是Meta，该指引并非明确订单，而是对产能的需求规划。目前1.6T产品尚未有真正订单落地，订单落地至少要到2026年第三季度。
二、ECL与CW激光器技术对比
技术方案
认证周期
应用场景
当前比例
EML方案
约7个月
长距离传输（如FR4场景）
50%
硅光方案
——
短距离传输（如DR场景）
50%
专家指出， EML方案的认证周期通常比CW Laser更长，考察的严苛程度也更高，因其工艺、良率和可靠性风险相对较高。CW Laser认证周期约5个月即可完成。
CW Laser供应格局： 低功率版（100mW及以下）工艺门槛相对较低，使得更多国产供应商进入。预计到2027年下半年，低功率版CW Laser将不会再有明显缺口，甚至可能出现供给超过需求的局面，届时其价格和利润可能面临较大竞争压力。
三、光芯片竞争格局
专家强调， 在EML产品领域，公司起步较早，相较源杰、长光华芯等厂商处于相对领先位置。
低功率CW产品： 源杰凭借与旭创的深度合作，目前在国产厂商中出货量最大。C公司因背景偏向LED和VCSEL等消费级市场，在光通信领域海外客户接受度可能受限。公司低功率CW产品也已量产，紧随其后。
高功率CW激光器： 目前Lumentum是市场上实现批量出货的主要供应商，供应量相对有限。Coherent产品仍处于样品阶段，与公司进度大致相当。源杰也在开发高功率版本，同样处于样品阶段。
四、产能规划与物料紧张
2027年产能展望：
800G光模块：年产能规划1,000万至1,200万只，其中硅光方案占400万至500万只
1.6T光模块：年产能规划近1,000万只，硅光方案渗透率预计更高（约60%以上）
100G EML芯片：月产能目标22KK
物料紧缺环节及应对：
芯片衬底：
向通美、鑫耀采购，同时开发鼎泰、先导等新供应商
旋光片：
由Coherent供应为主，正在与国内厂商合作开发，已采购福晶、森一产品
电芯片（DSP）：
主要供应来自博通和Marvell，应对策略是提前支付高比例预付款（已达50%以上）
硅光芯片：
Tower等代工厂产能紧张，国内设计方案（羲禾、熹联）正逐步成熟
五、设备紧缺全景
MOCVD设备——最紧张的环节： 交付周期已排到18个月。德国Aixtron是主要供应商，年交付能力虽提升至二十几台，仍无法满足需求。
专家指出， 单台MOCVD设备极限月产能约对应5KK光芯片，实际生产中考虑各种因素，一台设备通常对应约2KK有效月产能。
其他紧缺设备：
芯粒级测试筛选设备：一台设备一天约测试一万多颗芯片
老化测试设备：老化时间需12小时以上，设备需求巨大
高精度耦合设备：新订单交付排期已接近2028年
光谱仪、DCA、误码仪：国产替代加速，联讯等厂商已能提供全套方案
专家强调， 从800G升级到1.6T，现有设备基本可复用（因采购时已预留精度余量），但对于3.2T，目前仍处于实验室研发阶段，其量产对设备要求、工程余量是否足够尚无法确定。
六、从光芯片技术角度看，单通道速率的严禁，难点在哪
专家指出， 技术难点主要在于提升调制频率。更高频率要求等效结电容更小，需将某些工作区域做得更薄、更小，这会降低芯片强壮性，导致热功率密度增大、耐电压和耐电流能力下降。性能达标相对容易，但要通过客户期望的5,000小时、1万小时甚至2万小时的寿命实验，对芯片设计和生产是巨大考验。
七、高功率CW激光器的技术挑战
专家强调， 高功率CW激光器（400mW以上）需要由DFB芯片和SOA（光放大器）复合而成，其结构和工艺难度显著增加。高光功率对SOA的考验极大，光出射时对芯片端面的烧蚀效应会非常严重，高功率与高可靠性在芯片设计和生产中是一对主要矛盾。
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