核心观点
碳化硅产业链呈“上游高壁垒、中游重模式、下游多驱动”格局。上游衬底占总成本47%，是价值核心与技术瓶颈，目前正从6英寸向8英寸加速迭代，12英寸已首发；中游以IDM整合模式为主，代工模式快速崛起；下游由新能源汽车（800V高压平台）主导，光伏储能、AI数据中心、AR光波导等新场景持续扩容，国产替代已进入全球领跑阶段。
一、上游：材料与设备（高壁垒、高价值）
上游是产业链核心环节，衬底+外延片合计占器件总成本的70%，其中衬底占比约47%，技术壁垒最高。
衬底：全球市场曾由美、日企业主导，目前天岳先进6英寸、8英寸衬底市占率双双登顶全球第一，8英寸产品市占率突破50%，天科合达导电型衬底全球市占率第二；国内已量产6英寸衬底，8英寸加速渗透，12英寸衬底已实现规模化量产，产能、产量全球占比达50%。
外延片：在衬底表面通过CVD法生长碳化硅薄膜，决定器件电学性能，瀚天天成、天域半导体进入全球外延片厂商前二，已实现批量供货，技术对标国际水平。
设备与材料：长晶炉核心设备由晶盛机电、晶升股份主导，6-8英寸长晶炉批量供应国内客户；外延炉、高纯硅粉、石墨模具等部分仍依赖进口，北方华创、中微公司等已推出国产外延设备，国产化率持续提升。
二、中游：器件设计、制造与封测（模式分化、竞争加剧）
中游负责将外延片加工为芯片、模块产品，分为IDM（垂直整合）、Fabless（无晶圆设计）+Foundry（代工）两种主流模式。
IDM厂商：三安光电、比亚迪半导体、士兰微、华润微、时代电气等布局全链条，三安光电实现衬底-外延-芯片-模块全自主可控，比亚迪自研衬底比例达80%-90%，车规级模块已大规模搭载于汉、海豹等车型。
Fabless+Foundry：芯联集成、芯粤能等专注晶圆代工，芯联集成8英寸SiC MOSFET产线量产，月产能2000片，车规产品装车量破百万台；基本半导体、泰科天润等专注器件设计，部分企业正转型IDM。
封测：长电科技、通富微电、斯达半导、宏微科技等已攻克SiC适配封装技术，模块产品广泛应用于车规、工控场景，竞争焦点向“设计-制造-封装”一体化协同转变。
三、下游：应用场景（需求多元、新车引擎）
下游是产业链增长核心驱动力，2024年新能源汽车占SiC器件需求的52%，全球1600万辆新能源车销量带动SiC需求同比增长65%。
新能源汽车：800V高压平台加速普及，SiC几乎是主驱逆变器标配，单车需搭载36-48颗SiC芯片，比亚迪全系插混、蔚来、小鹏等车型均已导入SiC方案。
光伏/储能：SiC逆变器可提升系统效率8%-10%，降低综合成本，是全球光伏、储能装机量增长的核心受益环节。
新兴场景：AI数据中心800V HVDC供电（英伟达2027年规模化落地）、AR智能眼镜光波导（Meta Orion原型机验证）、特高压柔性变电站等，未来将释放千亿级市场空间。
四、产业趋势与风险
趋势：大尺寸化（8英寸量产、12英寸突破）是降本核心路径，IDM垂直整合与代工模式协同发展，国产替代从衬底向外延、器件全链条延伸，应用场景从车规、光储向AI、AR、电网多元拓展。
风险：8英寸初期良率偏低拖累降本速度，核心设备/部分原材料仍依赖进口，全球产能扩张可能引发短期供需失衡，车规级认证周期长（1-2年）抬高推广门槛。
注：以上内容仅为产业信息梳理，不构成任何投资建议。
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