$江波龙(SZ301308)$  

2026年Q2国内存储芯片价格：DRAM环比涨58%-63%，NAND涨70%-75%

2026年二季度（4-6月）国内存储芯片价格延续一季度暴涨态势，DRAM合约价环比涨58%-63%，NAND闪存合约价环比涨70%-75%，现货市场部分规格年内涨幅近10倍。以下从核心品类、细分规格、驱动因素三方面详细说明：

一、核心品类涨幅（TrendForce集邦咨询官方预测）

• DRAM（内存）

通用型DRAM：环比+58%-63%（一季度已涨93%-98%）。

PC DRAM（8Gb DDR4）：环比+40%-45%，价格突破18美元/颗。

服务器DRAM（DDR5 32Gb）：环比+65%-70%，AI服务器需求拉动最强。

• NAND Flash（闪存）

消费级NAND（256GB TLC）：环比+70%-75%（一季度涨55%-70%）。

企业级NAND（1TB TLC）：环比+75%-80%，数据中心订单爆满。

UFS（手机闪存）：环比+50%-55%，国产替代带动溢价。

二、国内市场现货与合约差异

• 合约价（大厂长单）：按TrendForce预测执行，国内模组厂（如江波龙、佰维存储）二季度采购成本直接上浮60%-70%。

• 现货价（零售/渠道）：波动更大，4月初DDR5 16GB现货环比3月涨25%，5月初再涨30%，较2025年底已涨200%-300%。

• 国产芯片：长鑫存储（DRAM）、长江存储（NAND）同步跟涨，涨幅略低5%-10%，但交付周期从4周延长至12周，供不应求显著。

三、暴涨核心驱动（AI+供给收缩双轮）

1. AI服务器需求爆发：单台AI服务器DRAM用量是传统服务器的6-8倍，NAND用量是3倍；全球70%存储产能被数据中心锁定，国内AI厂商（如华为、百度）抢单加剧紧缺。

2. 供给端刚性收缩：三星、SK海力士将80%-90%先进产能转向HBM（AI专用内存），通用存储产能被系统性压缩；三大原厂库存降至4周（安全线8-12周），创历史新低。

3. 国产替代加速：国内模组厂为规避海外涨价风险，加大长鑫、长江存储采购，进一步推高国产芯片价格。

四、全年展望

机构预测涨价至少持续至2027年一季度，2026年全年DRAM均价或涨88%，NAND涨74%；国内存储产业链（芯片设计、模组、封测）业绩将持续爆发，一季度佰维存储净利润同比增1567%，二季度有望再创新高。