中国存储“双雄”破局

红色图中梳理的是全球存储芯片赛道的主要企业，核心看点是我们国家在存储芯片领域的“双雄”破局。

海外巨头占主导:韩国三星电子、SK海力士是存储芯片绝对霸主，三星规模第一，SK海力士在AI内存（HBM）领域领跑。

美国美光、闪迪、西部数据、希捷，日本铠侠（原东芝存储）构成传统势力。

中国“双雄”破局:

长鑫存储（合肥）中国DRAM内存芯片的破局者，主攻内存条（DDR4/DDR5）这是最难啃的硬骨头。

长江存储（武汉）中国NAND闪存核心技术先锋，在3D NAND闪存领域实现了技术追赶甚至部分超越。

产业链配套

除了长鑫和长江存储这两颗“皇冠上的明珠”，国内还形成了一条配套产业链如下:

设计端:兆易创新（北京）、北京君正（车规级）

模组端:江波龙、德明利、佰维存储（深圳集群）

分销端:香农芯创（宣城）

接口芯片:澜起科技（上海）全球内存接口芯片市占率第一

封测端:深科技（深圳）

在存储芯片赛道，中国冒出双雄——长鑫存储和长江存储是中国半导体自主可控的两面旗帜，一个在DRAM内存、一个在NAND闪存，分别从合肥和武汉两个城市突围，带动了一整条国产存储产业链的崛起。$工业富联(SH601138)$  $东山精密(SZ002384)$  $兆易创新(SH603986)$  #收盘点评#