$驰宏锌锗(SH600497)$  

驰宏锌锗不直接做芯片设计或封测，它的贡献是提供先进封装必需的高纯锗材料与关键靶材/衬底原料，属于上游核心材料供应商。

一、核心定位与产能

- 全球原生锗龙头：年产能约65吨，占全球约25%、国内约40–50%。

- 高纯锗量产：稳定供货6N（99.9999%）超高纯锗，可用于先进封装、硅光、玻璃基TGV等。

- 原料保障：锗来自铅锌伴生矿，提取率>98%，成本优势明显。

二、先进封装的关键贡献

1. AI玻璃基TGV封装（替代硅中介层）- TGV（Through Glass Via）玻璃基板需高纯锗做掺杂/互连材料/靶材，降低损耗、提升高频性能。

- 驰宏是国内少数能稳定供应6N锗的企业，直接支撑TGV产业化。

2. 半导体衬底与外延- 6N锗用于锗衬底、锗硅外延、高电子迁移率器件，适配高速/射频/AI芯片。

- 研发布局13N级超高纯锗，瞄准下一代半导体级应用。

3. 先进封装靶材（UBM/RDL）- 高纯锗靶材用于凸点下金属层（UBM）、重布线层（RDL），提升焊盘可靠性与导电性。

- 铟产品（高纯铟锭）供应磷化铟衬底与光模块，间接支撑高速光互连封装。

4. 硅光与共封装（CPO）- 光纤级高纯四氯化锗（年产能30吨）用于硅光调制器/探测器，是CPO与高速光模块的核心掺杂材料。

三、客户与产业位置

- 产品进入华为、烽火等供应链，覆盖通信、光模块、先进封装客户。

- 2025年后锗深加工占比提升，6N锗、光纤级四氯化锗为高增长核心。

四、小结

驰宏锌锗是先进封装上游“卡脖子”材料供应商：用6N高纯锗支撑TGV玻璃基板、锗基衬底、UBM/RDL靶材与硅光掺杂，为AI/高速/光电芯片先进封装提供高纯度、高稳定性、低成本的锗基材料保障。