汇顶 3D 堆叠/3D封装 核心专利
CN115346936B — "3D芯片封装结构及封装方法"
授权公告日：2026.02.03
发明人：袁燕文、冷寒剑、韦亚
结构：第一芯片基底die+ 第二芯片直接坐上面 → 绝缘封装层包裹第二芯片 → 第一电连接结构贯穿绝缘封装层连通两die → 核心目的是省掉中介层/省掉第二die内TSV导电通孔，缩短互连距离、降阻抗。
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