6月3日三安光电互动对比往期：四大新增实质性突破（对比近3个月历史互动口径） 一、碳化硅板块：从器件量产→自研SiC衬底+金刚石热沉落地（最大新增突破） 1.往期历史口径：只披露SiC功率芯片（器件）量产供货电源、车企，SiC衬底只在建产线、从未官宣送样；金刚石基板仅研发。2.今日新突破- 自研碳化硅衬底正式向头部客户送样，补齐SiC全产业链（衬底-外延-器件），摆脱衬底外购依赖，是第三代半导体关键拐点 ；- 金刚石热沉基板小批量出货（AI算力芯片/大功率激光器散热），新增高附加值新材料品类，往期从未披露出货进度 。 二、Micro LED（CPO+AR+光互连三条线同步落地，远超往期零散研发表述） 1.往期：只提MiP量产、CPO光源研发、AR处于技术洽谈，产学研合作仅纸面签约。2.今日三大落地更新（增量）- 消费显示：MiP国内外批量供货、份额扩容（从试产→规模化放量）；- AR终端：和全球一线终端深度绑定、共同定义技术路线（不再是单纯研发，绑定终端落地）；- AI光互连/CPO：官宣联合清华+中国移动落地高速Micro LED光互连，产品送样海外头部模组厂；明确可为CPO一站式供应：EML+CW+高速Micro LED三类光源（往期只单一提某一款芯片适配CPO） ；- 玻璃基Micro LED：与TCL华星合资芯颖量产落地，落地合作细节首次完整披露 。