沃格光电全玻璃堆叠封装（玻璃基多层堆叠互联）中，不同玻璃层之间主要用玻璃本身的氧化层+BCB（苯并环丁烯）有机绝缘胶实现绝缘，部分高端方案也会采用等离子体沉积氧化硅（SiO₂）薄膜绝缘，具体方案如下：
1. 主流量产方案：BCB有机绝缘胶
这是当前沃格光电TGV全玻璃堆叠工艺采用的主流方案：
加工方式：在完成TGV通孔加工的玻璃层表面，旋涂一层均匀的BCB绝缘胶，经热固化后形成致密绝缘层，厚度可精准控制在5-20μm之间
核心优势：BCB本身具备低介电常数、低介电损耗的特性，完美适配高频高速信号传输，同时固化收缩率低、粘附性好，能和玻璃紧密结合，工艺兼容性强，适合量产
应用场景：用于AI芯片玻璃载板、CPO玻璃中介层的多层堆叠绝缘，适配大多数先进封装需求
2. 超薄高密度方案：沉积氧化硅（SiO₂）绝缘薄膜
针对更高密度堆叠需求，沃格光电会采用无机绝缘方案：
加工方式：通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺，在玻璃表面沉积一层厚度仅数百纳米到数微米的SiO₂绝缘薄膜
核心优势：绝缘层厚度极薄，能实现更高的堆叠密度，同时热稳定性和绝缘性能优于有机胶，适合更高功率的芯片封装场景
缺点：工艺成本更高，沉积速度慢，目前仅用于细分高端场景
3. 特殊场景：玻璃本征氧化层
玻璃本身主要成分为二氧化硅，新切割的玻璃表面会自然生成一层厚度约1-2nm的致密氧化层，本身具备绝缘性，但天然氧化层太薄、容易存在缺陷，仅能作为辅助绝缘，无法单独满足多层堆叠的绝缘可靠性要求，必须搭配上述两种绝缘方案使用。
整体工艺逻辑是：玻璃做基底骨架→加工TGV通孔→玻璃表面做绝缘处理→金属化做线路→多层堆叠键合，绝缘层是保障多层线路不短路、信号稳定传输的关键环节。