钛在芯片上的迅速应用领城1.Ti/TiN薄膜（最核心）作为铜互连的粘附层与扩散阻挡层，防止金属布线渗入硅基底；也是高K栅极、DRAM/NAND接触层标配材料。2.TiW钛钨合金用于TSV硅通孔、射频芯片电阻层，适配硅热膨胀系数，避免工艺高温开裂。3.第三代半导体SiC/GaNTiN充当欧姆接触层，替代钨材，适配高温车载功率器件。4.设备结构件高纯钛制作晶圆机械手、真空腔体内衬，无磁耐等离子腐蚀。