消息面上，中国“纯硅”成功突破，我国攻克硅基量子芯片关键材料。我国科学家在稳定同位素富集领域取得关键性突破，首次成功实现丰度超过99.99%的硅-28同位素自主量产，产品关键指标达国际先进水平。标志着我国在构建自主可控、协同高效的稳定同位素产业格局方面迈出实质性步伐。（来源：科技日报20260615《硅基量子芯片核心材料高丰度硅-28实现自主量产》）
据介绍，除量子计算外，超高丰度硅-28在先进制程半导体、高端导航、计量基准等前沿领域也有重要应用前景。完成此项突破的团队，此前已先后实现钼、碲、镍等12种元素、26种稳定同位素的生产，持续推动稳定同位素分离技术的工程化与产业化。（来源：中国核能行业协会20260615《我国攻克硅基量子芯片关键材料》）
存储芯片行业迎来材料迭代拐点，钨退钼进成为高层数3D NAND产业明确趋势。随着3D NAND向375层、400层以上架构升级，传统钨制字线在纳米微缩制程中出现电阻飙升、需额外阻挡层挤占堆叠空间、高深孔填充良率偏低等物理瓶颈，难以匹配AI大容量存储高速读写需求。钼凭借更低电阻率、可省略阻挡层、适配ALD工艺等优势，成为替代钨的核心材料；存储龙头375层NAND将全面采用钼字线并将于年内量产，另一存储龙头早已落地钼工艺，海外存储厂及国内存储厂均推进验证，半导体龙头确认钼替代是高层堆叠唯一可行路线。（来源：36氪20260615《钨退钼进，势不可挡？》，相关个股及产品仅作列示，不构成任何投资建议）
中银证券指出，钼材料导入高层数3D NAND，半导体应用打开需求增量空间。钼材料在高层数3D NAND中的应用加速推进，存储龙头已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨材料制作字线；继另一存储龙头在286层第九代3D NAND中导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势进一步确立。短期看，半导体用钼绝对量仍较小，对钼总需求拉动有限，但其高纯度、高技术壁垒和高附加值特征有望提升钼材料结构性价值，利好钼靶材、钼薄膜材料及精深加工企业。中长期看，随着3D NAND层数持续提升，钨字线在极细线宽下电阻上升及阻挡层占用空间问题更加突出，钼凭借低电阻、无需阻挡层等优势有望加速渗透。若存储龙头后续持续扩大钼工艺应用范围，半导体钼材料需求有望从验证导入进入规模放量阶段，推动钼从传统工业金属向高端制造和半导体材料方向重估。（来源：中银证券20260615《有色金属行业周报：钼材需求迎来结构升级，看好战略金属投资机会》，相关个股及产品仅作列示，不构成任何投资建议）
国盛证券指出，AI需求拉动CCL材料体系从M7/M8向M9升级，三大主材铜箔、电子布、树脂也伴随迭代。（1）铜箔：HVLP铜箔向四代、五代跃迁，全球HVLP铜箔龙头，在HVLP4以上市占率高达50%，国产厂商有望迎来替代窗口；（2）电子布：AI算力与先进封装的需求旺盛，带动低介电电子布（一代、二代）、Low-CTE电子布、石英布等高性能产品进入供不应求的紧缺周期，需求端快速增长；（3）树脂：树脂体系从环氧树脂向PPO、碳氢树脂升级，国产厂商迎崭新机遇。（来源：国盛证券20260608《基础化工行业周报：关注AI算力链材料及六氟化钨涨价》，相关个股及产品仅作列示，不构成任何投资建议）
硬科技腾飞，新材料先行！“硬科技基石”科创板新材料指数与新质生产力和国产替代主线高度契合！标的指数更均衡布局电子化学品、半导体材料、电池化学品等细分领域龙头！（数据来源：wind，截至20260615）
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