消息面：英伟达推动数据中心电源架构向800V高压直流升级，显著拉动SiC价值量与渗透率。此外，富士康、博世、三星等全球头部企业也正加大重视SiC。华西证券指出，随着AI发展，SiC在AI相关领域的需求有明显增长，并且未来存在大量增长空间。AI相关需求远超车规等传统市场，SiC有望成为AI新主线。今年SiC已呈现反转态势，市场有望对SiC行业重新定价。

一碳化硅SiC全景

什么是碳化硅SiC

碳化硅（SiC）是第三代半导体的核心材料，与第一代硅（Si）和第二代砷化镓（GaAs）相比，具有宽禁带（3.26 eV）、高击穿电场（约硅的10倍）、高热导率（约硅的3倍）等显著优势，广泛应用于新能源汽车、光伏储能、AI数据中心等领域。

碳化硅（SiC）：第三代半导体的核心材料

产品分类维度

SiC可从导电类型、晶型、产品形态三个维度进行分类。导电类型分为n型（功率器件主流，占80%）和半绝缘型（射频器件衬底，占20%）；晶型以4H-SiC为主流；产品形态涵盖衬底、外延片、器件/模块三级产业链。

碳化硅（SiC）分类体系全景

核心功能

SiC在半导体产业链中承担的核心功能取决于其应用场景：在新能源汽车中用于主驱逆变器和车载充电机（OBC），在光伏储能中用于逆变器，在5G通信中用于射频器件，在轨交电网中用于牵引变流器。

碳化硅核心功能

衬底制备技术路线对比

SiC单晶衬底制备是产业链中技术壁垒最高的环节。当前主流制备技术包括物理气相传输法（PVT）、高温化学气相沉积法（HTCVD）和顶部籽晶溶液法（TSSG）。PVT占全球产能90%以上，是当前绝对主流；HTCVD生长速率更高，正处于中试验证阶段；TSSG缺陷密度最低，但尚未量产。

碳化硅衬底生长技术路线对比：PVT · HTCVD · TSSG

衬底尺寸升级路径

SiC衬底正经历从6英寸向8英寸的产业升级，大尺寸衬底可显著降低单片器件成本，是行业竞争的核心焦点。

衬底尺寸升级路径

二上游核心环节拆解

核心材料：高纯碳化硅粉体

高纯SiC粉体是衬底生长的核心原材料，其纯度直接影响晶体质量。粉体纯度要求达到99.999%以上，杂质含量控制在ppm级别，国内粉体产业正在加速追赶国际先进水平。

高纯碳化硅粉体分析

专用设备

SiC产业链专用设备涵盖长晶炉、外延生长设备、离子注入机、高温退火炉等，其中长晶炉是核心设备，技术壁垒最高。

专用设备全景

关键耗材

SiC衬底加工过程中涉及多种关键耗材，包括金刚石磨料、抛光液、切割线等，耗材的品质直接影响衬底表面质量和加工良率。

关键耗材分析