1. 自有碳化硅衬底（直接对应陈立武押注的第三代半导体材料）
• 8英寸SiC衬底大规模量产，规划总产能90万片/年，导电型、半绝缘型全覆盖；12英寸导电型晶体+中试线落地，可用于车规功率、AI先进封装中介层
• 自产SiC衬底，和天岳先进、露笑科技属于同一材料赛道，直接受益SiC需求爆发
2. 全链条SiC设备（整条材料产线的卖铲人，增量弹性更大）
国内唯一覆盖SiC长晶炉、切片、研磨、抛光、外延炉、氧化/激活炉全套设备厂商：
6/8/12英寸碳化硅外延设备批量出货，下游所有SiC衬底厂、外延厂扩产都要采购它的设备
• 同时布局先进封装减薄、激光开槽设备，适配陈立武EMIB先进封装路线
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