一、Meta削减存储芯片订单
存储芯片厂商认为，Meta旗下全部数据中心仍会持续加大HBM、LPDDR5、企业级SSD等高端存储的采购用量。因此市场流传的“Meta将缩减全部AI服务器/云基建投资”的猜测并无依据。
事实上，整条AI供应链企业（NAND主控厂商、IP供应商、基板材料厂）均表示Meta中长期存储/元器件订单正在走弱。芯片厂商透露，Meta计划向外部客户开放自有数据中心，转型云服务商；但该战略并不会带来闲置算力，反而会成为其扩大高端存储采购的业务驱动力。
二、长鑫存储（CXMT）DRAM供货苹果iPhone前景判断
我们认为苹果不会大规模采用长鑫DRAM，核心三点原因：
1. 美国对华半导体出口管制限制；
2. 长鑫DRAM性能暂未达标苹果规格（10Gbps以上速率、1.1V功耗、片上硬件ECC纠错功能）；
3. DRAM知识产权被韩美头部存储企业持有，存在诉讼风险。
长鑫理论上可切入低端iPhone 18机型，但当前苹果低端机型出货占比持续走低（市场高端机型更受欢迎），因此实际订单规模十分有限。
苹果或会在2026下半年、2027年与三星/美光/海力士三大原厂谈判时，将采购长鑫DRAM作为议价筹码，但最终实际采购长鑫的体量仍会维持低位。
三、韩国集群建厂计划引发市场峰值产能担忧
部分投资者担忧韩国政府斥资80000亿韩元在西南地区（光州）新建晶圆集群，会造成存储行业产能过剩。
但我们判断，2033年前不会出现显著量产增量（详见配套报告）；该建厂规划长期重心在于龙仁、平泽两大成熟集群扩产（周期2026–2035年）。
整体来看，我们不认为存储行业会迎来供大于求的周期拐点，核心支撑是企业端多元化存储需求持续旺盛（HBM、SOCAMM、企业级SSD等赛道需求全面增长）。
四、本次日本产业调研核心结论
本周我们与日本本土投资者、NAND供应链企业开展线下交流。投资者普遍看好行业长期增长，但频繁提及当前强劲景气下潜藏的下行风险；而企业管理层给出的指引更为乐观，核心观点汇总：
1. 存储平均售价（ASP）有望继续上行，NAND涨幅更突出；
2. 2026年三、四季度合约价格仍维持上涨通道；
3. 2027年存储供给短缺缓解，但需求依旧集中在韩国厂商；
4. 现货交易量回暖；
5. 行业控产策略持续、芯片投产节奏受控（日本NAND厂执行尤为严格）。
五、三星电子二季度初步经营利润（OP）前瞻
三星将于7月7日正式披露二季度经营利润，初步测算业绩大概率略低于市场乐观预期，主要拖累项：1英寸晶圆业务、智能手机业务利润承压。
但存储板块利润有望超市场一致预期，核心驱动为存储均价持续上行，契合韩国存储出口高景气趋势；6月DRAM现货、合约价格进一步反弹。
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