证券分析师 芦哲 执业证书：S0600524110003
证券分析师 唐遥衎 执业证书：S0600524120016
证券分析师 谢文嘉 执业证书：S0600525120001
上证科创板芯片设计指数投资价值分析：
聚焦芯片设计龙头，高弹性覆盖AI算力与国产替代主线：上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）选取科创板芯片设计领域上市公司证券作为样本，截至2026年6月30日，前十大成分股权重合计65.30%，高度集中于数字芯片设计。指数覆盖存储芯片、高性能处理器、内存接口芯片、芯片IP及AI芯片等核心方向。指数高度聚焦芯片设计领域，为投资者提供较为纯粹的“科创板+芯片设计”配置工具。
轻资产模式赋予高盈利弹性：芯片设计企业采用Fabless模式，固定资产投入较低，产品放量阶段新增收入更易转化为利润，经营杠杆较强。截至2026年7月17日，从绝对水平看，指数估值偏高。若AI算力、国产替代及存储周期改善持续推动EPS增长，估值匹配度有望逐步改善；若EPS增速回落，高PB可能放大估值调整风险。
行业基本面分析：
AI驱动存储超级周期，供需错配持续深化：本轮存储周期自2025Q2起持续上行，AI算力基础设施建设带来强需求增量，与刚性供给约束共同形成“紧平衡”。根据已披露数据，美光2026年全年HBM供应量已全部售罄，涨价趋势有望延续至2027年。TrendForce预计2026年下半年至2027年下半年，整体Server DRAM合约价将维持逐季上涨。
3D DRAM步入商业化，端侧AI激发存储新需求：2025年3D DRAM相关产品已发布，2026-2027年进入放量期。瑞芯微等厂商已推出内置3D DRAM架构的NPU产品，支持端侧AI大模型部署。高带宽、低成本的3D DRAM有望在机器人、AIoT、汽车等多领域放量，头部科技终端厂商陆续入局。
国产存储崛起，长鑫上市开启扩产新周期：长鑫存储登陆资本市场将显著增强资本实力，推动DRAM领域长期技术迭代与产能扩张，进入新一轮中长期扩产通道。CBA架构开启DRAM向3D演进新周期，对光刻、刻蚀、薄膜沉积等环节提出更高技术要求，产业链景气度有望系统性抬升
科创芯片设计ETF广发（589210）产品推荐：
产品成立于2025年12月11日，上市交易日期为2025年12月12日。联接基金代码为027520、027521。该基金为股票型、被动指数型、交易型开放式基金，紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）。费用方面，产品管理费率为每年0.50%，托管费率为每年0.10%。截至2026年7月17日，基金流通市值8.74亿元，当日流通份额13.05亿份。
聚焦芯片设计链条，纯度与弹性兼备：2026年第二季度产品前十大成分股合计权重约65.11%，覆盖算力、存储、IP、SoC、特种芯片及传感器等多元细分赛道，既包含AI算力与数据中心的核心受益标的，也布局了自主可控与国防信息化方向的关键核心资产。
指数化+ETF场内双重优势，高效把握结构性行情：产品采用完全复制法紧密跟踪上证科创板芯片设计指数，兼具行业指数化投资与ETF场内交易工具的双重优势。当芯片板块出现AI算力催化、国产替代加速或存储周期反转等行情时，投资者可及时执行交易，提升资金使用效率。
风险提示：1）行业政策或监管环境突变；2）宏观经济不及预期；3）发生重大预期外的宏观事件；4）指数及行业特有风险。
1. 上证科创板芯片设计主题指数投资价值分析
1.1. 高纯度配置科创板芯片设计龙头，集中受益于 AI 算力和国产芯片需求扩张
上证科创板芯片设计主题指数(指数代码为950162.CSI，简称：科创芯片设计)由中证指数有限公司于2024年7月26日正式推出。该指数以2019年12月31日作为基日。上证科创板芯片设计主题指数选取科创板内业务涉及芯片设计领域的上市公司证券作为指数样本，以反映科创板芯片设计领域上市公司证券的整体表现。
截至2026年6月30日，指数前十大成分股权重合计为65.30%。按照申万三级行业分类，指数成分股集中于数字芯片设计。较高的头部集中度使得指数能够较充分地反映芯片设计龙头企业的表现，尤其是在AI算力、服务器芯片、存储芯片、芯片IP和高性能计算等方向景气度提升时，指数弹性更为明显。
在前十大成份股中，截至2026年6月30日，佰维存储权重为10.81%，东芯股份权重为3.65%，普冉股份权重为4.60%，这些公司共同构成指数中的存储芯片及存储相关设计板块。存储芯片行业具有较强周期属性，受价格周期、库存周期、终端需求和数据中心资本开支影响较大。当存储行业进入修复阶段时，相关成份股有望对指数形成弹性贡献。该部分权重的存在，使指数不仅受益于AI算力芯片，也能反映存储周期改善带来的投资机会。
截至2026年6月30日，海光信息权重为9.96%，主要代表国产高性能处理器和服务器芯片方向。随着国内算力基础设施建设推进，国产CPU、服务器芯片和高性能计算芯片的重要性持续提升。海光信息在指数中的高权重，使该指数不仅覆盖AI加速芯片，也覆盖高性能计算和国产服务器芯片主线，增强了指数对国产算力基础设施建设的代表性。
截至2026年6月30日，澜起科技权重为9.65%。公司主要受益于服务器内存接口芯片、内存模组配套和数据中心需求扩张，是AI服务器产业链中具有代表性的芯片设计公司。随着人工智能训练和推理需求提升，服务器内存带宽、数据传输效率和系统稳定性的重要性提高，相关接口芯片和配套产品具备较强产业景气支撑。
截至2026年6月30日，芯原股份权重为9.05%，主要代表芯片IP授权、芯片定制服务和半导体设计服务平台方向。与单一芯片产品公司相比，芯片设计服务和IP平台类公司更偏向“平台型”属性，其业务受益于下游客户定制化芯片需求增长、AI芯片开发复杂度提升以及国产芯片生态扩张。芯原股份在指数中权重较高，有助于提升指数对芯片设计产业链底层技术和平台能力的覆盖。
截至2026年6月30日，寒武纪权重为8.91%，是指数中AI芯片方向的重要代表。人工智能算力需求的持续提升，使AI加速芯片、智能计算芯片和相关软件生态成为市场关注重点。寒武纪作为国内AI芯片代表性公司之一，其股价表现与市场对国产AI算力、人工智能基础设施建设和国产替代空间的预期高度相关。其较高权重意味着，当AI算力主线强化时，指数具备较强进攻属性。
整体来看，上证科创板芯片设计主题指数前十大成份股覆盖服务器内存接口芯片、AI芯片、高性能处理器、存储芯片、芯片IP、通信芯片、红外探测芯片和智能终端芯片等多个方向，既包括高弹性的AI算力主线，也包括国产替代逻辑较强的CPU、存储和芯片设计服务环节。因此，科创芯片设计ETF广发通过指数化方式覆盖科创板芯片设计领域的多条核心产业主线。
1.2. 行业配置聚焦科创芯片设计，半导体纯度较高
从行业分布来看，上证科创板芯片设计主题指数呈现出较强的芯片设计集中度和鲜明的成长属性。从申万二级行业看，指数成份股绝大多数归属于半导体行业，仅少数公司分布于军工电子Ⅱ和软件开发领域。其中，截至2026年6月30日，半导体相关成份股权重合计约95.96%，体现出较高的半导体产业纯度。与一些覆盖范围更广的芯片指数相比，该指数能够更集中地反映科创板芯片设计公司的整体行情表现，避免因设备、材料、制造、封测等其他环节权重过高而稀释芯片设计主线。该指数高度聚焦数字芯片设计等高成长、高研发投入领域，具有较高的产业代表性和业绩弹性，为投资者提供了一个较为纯粹的“科创板+芯片设计”配置工具。
1.3. 轻资产、高研发的行业特征赋予指数较强的盈利和 EPS 弹性,高估值对应高成长的重估机会
芯片设计企业通常采用Fabless经营模式，将晶圆制造和部分封装测试环节外包，自身主要投入研发、产品设计和市场开拓。与晶圆制造企业相比，这种模式固定资产投入相对较低，收入增长对新增资本开支的依赖较弱；当核心产品进入放量阶段后，前期研发和人员成本具有一定刚性，新增收入更容易转化为利润，进而形成较强的经营杠杆和EPS弹性。
指数内部既包含已经形成规模化收入和利润基础的成熟设计公司，也包含仍处于高研发投入、产品验证或商业化扩张阶段的人工智能芯片企业。因此，其盈利增长可能同时来自三个方面：成熟企业产品结构升级带来的毛利率改善、新产品放量带来的收入增长，以及早期企业亏损收窄或实现盈亏平衡。当行业需求回升和产品商业化进度加快时，指数整体利润及EPS增速可能明显高于收入增速。
从指数季度EPS数据（注：各期EPS数据均为当年年初至对应报告期末的累计数据）看，指数盈利能力近两年呈现明显改善。指数EPS由2024年度的0.218元上升至2025年度的0.605元，同比增长约177.26%；2025年前三季度EPS为0.414元，较2024年前三季度的0.147元同比增长约181.26%；2026年一季度EPS进一步升至0.295元，较2025年一季度的0.087元同比增长约239.30%。这表明指数成分股的盈利能力正在快速改善，AI芯片及存储产品放量、成熟产品结构升级以及部分企业亏损收窄，共同推动指数EPS进入较快增长阶段。若产品商业化和国产替代持续推进，轻资产模式带来的经营杠杆仍有望为指数提供较强的盈利弹性。
截至2026年7月17日，科创芯片设计指数的市盈率（PE-TTM）为216.78倍。自2024年7月26日至2026年7月17日为历史区间计算历史分位数，截至2026年7月17日，科创芯片设计指数市盈率位于历史30.20%的分位点。
截至2026年7月17日，科创芯片设计指数的市净率为14.85倍。自2024年7月26日至2026年7月17日为历史区间计算历史分位数，截至2026年7月17日，科创芯片设计指数市净率位于历史91.00%的分位点。
从绝对水平看，指数估值仍然较高，尤其是PB已接近历史极高区域，反映市场给予芯片设计企业较高的技术稀缺性、知识产权价值和长期成长溢价。但从PE历史分位看，当前并未处于历史最高位置，较指数发布初期超过400倍的市盈率（PE,TTM）水平已有明显回落。一方面，2025年以来指数EPS快速增长，使市盈率得到一定消化，因此当前PE分位相对温和；另一方面，成分股股价和市值增长较快，而芯片设计企业的大量研发成果、知识产权和技术团队并不能完全体现在账面净资产中，因此PB仍维持在较高水平。
由此来看，指数当前的配置价值并不来自传统意义上的低估值，而是来自盈利快速增长对高估值的持续消化。若未来AI算力需求、国产芯片替代和存储周期改善继续推动EPS增长，指数可能通过“盈利上升、PE下降”的方式逐步改善估值匹配度；若EPS增速明显回落，则接近历史高位的PB可能放大指数的估值调整风险。
2. 存储：企业级存储发力，26年迎接“超级周期”
2.1. AI驱动超级周期
存储板块本身为强周期板块，本轮周期自25Q2持续上行，有望持续至27年全年。存储由于产品标准化程度高，大宗属性强，且供给格局集中。本轮周期自25Q2开始上行，25年9月之前更多为转产导致DDR4涨价，25年9月之后由于HDD供给短缺，AI推理带来的存储需求快速导入SSD，推动SSD价格快速上涨。由于存储供给短缺可能导致AI服务器出货下修，因此各下游AI客户对存储价格上涨不敏感，推动存储价格持续上涨，造就“超级周期”。
景气度上行带动行业毛利率提升。当下，美光、三星、海力士毛利率均已创历史新高。带动公司盈利能力持续提升。
2.2. 需求：AI驱动，客户价格不敏感且增量巨大
当前存储芯片市场的火热行情，本质上是一场由强大新兴需求与刚性供应约束共同作用的“紧平衡”。与过往主要由消费电子驱动的周期性涨价不同，本次行情的核心驱动力来自于AI算力基础设施的全面建设，其需求强度与持续性均远超以往。
AI服务器与通用服务器正形成共振需求，从云端到边缘侧共同拉动存储芯片用量。海外四大云厂商（微软、谷歌、Meta、亚马逊）的资本开支持续高企，例如，为满足AI算力需求，戴尔科技在2026财年第三季度获得的AI服务器订单金额就达到123亿美元。大型科技公司对传统通用服务器的投资持续增长，拉动了DDR5等标准服务器内存的需求。国内市场的需求同样强劲，阿里云宣布26-28年将投入3800亿元建设云和AI基础设施，这种规模的投入必然产生对存储芯片的海量需求。
展望未来，这种结构性供需错配可能持续较长时间。美光科技在26年6月下旬举办的Q3财报电话会表示，公司2026年全年HBM的供应量已全部售罄。一方面，HBM与DDR5的产能置换比例为3：1，且未来几代HBM的这一置换比例还将进一步提高，这意味着每增加一单位HBM产能，就会减少3单位传统存储芯片产能。另一方面，全球洁净室建设周期长达2-3年，而核心工程师培养也需要相似时间，供给端难以快速响应需求变化。在这种背景下，存储芯片市场已从买方市场转向卖方市场，定价权进一步向掌握先进技术的头部厂商集中。
2.3. 价格跟踪：大宗存储持续上涨，利基存储开始发力
Q3存储现货价格维持高位，中国台湾存储厂指引乐观。存储模组大厂威刚董事长指出，AI需求存储器的强度远超过历史上任何时期，DRAM、NAND快闪存储器双缺持续升温，缺货深度与时间皆创20年来最严重。
AI驱动下，26H2及27年存储合约价涨价趋势强劲。TrendForce集邦咨询表示，因CPU供给短缺影响Server整机组装节奏，美系CSP的DRAM库存水平于26年第二季逐渐升高。不过，考量CPU供应将于2026年下半年至2027年间逐步释放、Server整机组装规模可望扩大，以及2027年Server DRAM供不应求态势基本确立，CSP普遍仍积极追加需求。
各家存储器原厂于26年第二季下旬陆续向客户释出2027年的供给意向。经TrendForce集邦咨询初步试算，27年合计原厂RDIMM位元供给年增幅仅约15-20%，将大幅落后Server CPU颗数的成长。TrendForce预计在2026年下半年至2027年下半年，整体Server DRAM合约价将维持逐季上涨，但涨幅收敛。
此外，MLC/SLC NAND、DDR4、DDR3、Nor Flash等利基存储涨价趋势强劲。中长期供需剪刀差有望推动价格持续上涨。根据TrendForce，由于高层数3D NAND等高附加价值产品排挤成熟制程产能，MLC NAND供给短缺，迫使部分工控、车用和网通客户计划改采用SLC NAND，将导致原已吃紧的SLC供应情况更加紧绷。同时，AI边缘运算、数据中心、汽车电子等对SLC的需求持续提升，供需缺口急剧扩大，TrendForce预估将推升2026年下半年SLC合约价格较上半年调涨120-170%，不排除有上修空间。
3. 产业趋势：26年3D DRAM为放量元年，长鑫上市推动国产存储崛起
3.1. 3D DRAM步入商业化，激发端侧AI存储机遇
25年3D DRAM相关产品已发布，研发路径走通，步入商业化进展，26、27年进入放量时间点。瑞芯微在25年7月的开发者大会发布两款用于端侧AI的NPU：
（1）RK1820:内置2.5GB DDR，支持3B模型;（2）RK1828:内置5GB DDR，支持7B模型，均采用3D DRAM架构。借助3D DRAM高带宽、低成本、可拓展的特性，主控芯片能支持语音识别、视频分析、长上下文对话等场景应用，适用于安防、机器人、车载、消费电子、办公、教育、家居、工业等端侧场景。
26年AI硬件落地带来存力需求的快速提升，高带宽/低成本的3D DRAM有望在多领域放量。未来深宽比刻蚀、光刻技术、电容结构的提升对于2D DRAM的升级相对将逐渐趋缓，3D DRAM的架构革新将愈加重要。机器人/AIOT/汽车等领域对本地大模型的部署离不开3D DRAM存储的支持，其为各端侧应用从“能用”到“好用”的关键硬件革新。
高通、小米、荣耀、OPPO、各大PC厂商、各大车厂或陆续入局。国内我们预计26年将有多款NPU产品发布、立项、流片等。国内手机终端厂商、光羽芯辰、国际龙头SoC厂商均将“NPU+定制化存储”方案作为端侧AI的最佳答卷。
3.2. 长鑫上市在即，注重国产存储产业机遇
长鑫上市显著增强扩产确定性，存储进入新一轮中长期扩产周期。随着长鑫存储登陆资本市场进程持续推进，公司有望通过IPO募资及后续再融资工具显著增强资本实力，为其在DRAM领域的长期技术迭代与产能扩张提供坚实的资金保障。在当前国产存储加速替代、产业链自主可控战略持续强化的宏观背景下，具备稳定融资能力与持续资本开支投入能力的头部厂商将成为产业升级的核心载体。我们判断，长鑫在资本约束明显缓解后，未来数年资本开支强度有望维持高位运行，产线建设节奏与扩产量级均具备较强确定性，扩产周期具备较长持续性与较高能见度。
由追赶扩张迈入规模化量产，供应链景气度系统性抬升。从行业周期视角看，DRAM属于强资本密集、强规模效应行业，单一制程节点的成功量产往往需要连续数年的设备投入与工艺优化配合。长鑫当前正处于由追赶式扩张向规模化量产阶段过渡的关键节点，伴随融资渠道打开，公司有能力在技术升级与产能建设两端同步加速推进，从而逐步缩小与国际头部厂商在工艺成熟度与产品结构上的差距。我们认为在政策支持、市场需求及融资环境共同作用下，长鑫将进入新一轮中长期扩产通道，其核心供应商将直接受益于持续的产线投资与工艺升级周期，产业链景气度有望系统性抬升。
CBA架构开启DRAM向3D演进新周期，全面抬升设备价值量。在技术路径上，长鑫当前重点推进的CBA架构，被视为DRAM向3D化演进的关键技术路线之一。相较传统2D DRAM架构，CBA在晶体管结构与存储单元布局层面实现根本性重构，有望显著提升单位晶圆存储密度，同时改善功耗与性能表现，并为后续更高堆叠层数的3D DRAM 奠定工艺基础。随着制程复杂度持续上升，CBA架构对光刻、刻蚀、薄膜沉积、量测与检测等环节提出更高技术要求，工艺窗口与设备精度要求显著抬升。
4. ETF产品推荐：科创芯片设计ETF广发（589210）
4.1. 基本信息
科创芯片设计ETF广发（589210.SH），成立于2025年12月11日，上市交易日期为2025年12月12日。该基金为股票型、被动指数型、交易型开放式基金，紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）。费用方面，产品管理费率为每年0.50%，托管费率为每年0.10%。截至2026年7月17日，基金流通市值8.74亿元，当日流通份额13.05亿份。
科创芯片设计ETF广发基金经理为夏浩洋，现任广发基金管理有限公司指数投资部基金经理。2021年5月起担任基金经理，具有较丰富的指数产品研究与管理经验。其当前管理产品覆盖光伏、环保、中证2000、新能源电池、电网设备、港股科技、港股通互联网、工业软件、科创芯片设计等多个方向，产品类型以行业主题ETF、宽基ETF及相关联接基金为主。截至2026年7月20日，夏浩洋先生现任管理的基金共17只，资产总规模为180.06亿元。
4.2. 优势一：产品配置“高纯度”的芯片龙头领域
指数ETF的配置价值最终要回归到指数本身的质量。科创芯片设计ETF广发的价值核心，则在于其对中国半导体产业链无死角的“全覆盖”与“高纯度”筛选。
截至2026年6月30日，产品前十大成分股合计权重为65.11%，且大多数均为其所在细分领域的龙头企业。具体来看：
算力芯片与CPU：寒武纪作为国产AI训练与推理芯片的先行者，其云端产品线已与DeepSeek-V4等主流大模型完成深度适配，在智能计算集群领域持续渗透；海光信息则同时布局CPU与DCU，形成了从通用计算到AI加速的国产算力底座，深算系列产品已在多个智算中心落地。
存储与接口：澜起科技为全球内存接口芯片龙头，深度受益于DDR5及MRDIMM内存迭代，同时其CKD芯片在PC服务器领域持续放量；佰维存储深耕存储封测及模组领域，在嵌入式存储与工控市场具备较强竞争力；东芯股份聚焦中小容量NAND Flash及NOR Flash，在国产车规存储与工业应用领域加速替代。普冉股份实现2026年一季度营业收入14.47亿元，同比增长256.08%；归母净利润2.51亿元，同比增长1259.87%；扣非净利润2.49亿元，同比增长1213.75%，增长势头极为强劲。四者共同构成从接口芯片到存储介质再到封测模组的完整存储链条。
IP与设计服务：芯原股份作为国产半导体IP授权龙头，拥有GPU、NPU、VPU等六大处理器IP，为系统厂商及芯片设计企业提供平台型一站式芯片定制服务，在AI芯片设计生态中核心关键环节。
SoC与终端芯片：晶晨股份是国内智能机顶盒、智能电视及AI音视频终端SoC龙头。2026年一季度营收18.95亿元，同比增长23.91%，创单季新高，电视SoC出货增长约30%。T系列高端电视芯片已商用落地，M系列显示器芯片进入推广阶段，Wi-Fi 6芯片即将量产，后续还有高算力AI端侧芯片等新品布局。盛科通信是国内领先的以太网交换芯片设计企业，提供端到端全系列网络芯片及解决方案。
特种芯片与传感器：睿创微纳为红外成像芯片及MEMS传感器龙头，产品广泛用于安防、工业测温及车载夜视领域，2025年营收增长显著。综合来看，截至2026年6月30日，科创芯片设计ETF广发前十大重仓股2026年第二季度合计占比约65.11%，覆盖算力、存储、IP、SoC、特种芯片及传感器等多元细分赛道，既包含AI算力与数据中心的核心受益标的，也布局了自主可控与国防信息化方向的关键核心资产。相较于仅聚焦单一环节的芯片主题产品，该组合在捕捉AI产业趋势的同时，亦能广泛受益于国产替代深化及新基建场景下的芯片需求释放，形成了兼具高弹性与产业链纵深优势的配置闭环。
4.3. 优势二：指数化+ETF场内双重优势，高效把握行业结构性机会
科创芯片设计ETF广发作为紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数的被动指数型ETF产品，兼具行业指数化投资与ETF场内交易工具的双重优势，是投资者便捷参与科创板芯片产业链结构性行情的重要工具。
从交易机制看，ETF场内交易属性帮助提升了投资效率。作为交易型开放式指数基金，产品在上海证券交易所上市交易，支持交易时段内实时买卖，具备流动性好、价格透明、交易效率高等特点。相较于场外基金采用收盘净值申赎的方式，ETF能够更快反映市场变化，当科创板芯片产业出现AI算力催化、国产替代加速或存储周期反转等行情时，投资者可及时执行交易，提升资金使用效率。
从投资运作看，科创芯片设计ETF广发采用完全复制法构建投资组合，紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数。在建仓完成后，投资于指数成份股及备选成份股的比例不低于基金资产的90%，力争将日均跟踪偏离度控制在0.2%以内、年化跟踪误差不超过2%。通过指数化投资方式，投资者可通过单一产品覆盖科创板芯片产业链多家代表性上市公司，覆盖芯片设计、制造、设备、材料等核心环节，避免个股选择偏差，降低单一公司经营波动带来的风险。
科创芯片设计ETF广发以“指数化 + 场内高效交易”为核心优势，在有效控制跟踪误差的同时，为投资者提供了成本可控、操作便捷的科创板芯片行业投资路径，适合用于把握芯片板块AI驱动的结构性机会及进行硬科技主题化资产配置。
$广发科创芯片设计ETF联接A(OTCFUND|027520)$$科创芯片设计ETF广发(SH589210)$
5. 风险提示
1）行业政策或监管环境突变半导体芯片行业受产业政策、出口管制、技术许可等多重监管约束。若中美贸易摩擦加剧、海外技术出口管制升级，或国内产业扶持政策调整、科创板监管规则发生变化，可能对芯片产业链企业生产经营及市场预期造成实质性影响，进而影响指数成分股基本面及指数整体表现。
2）宏观经济不及预期芯片行业具备较强顺周期属性，终端需求与宏观经济景气度密切相关。若国内外经济复苏不及预期，可能导致消费电子、服务器等下游需求萎缩，企业算力投资放缓，影响芯片产业链各环节的订单增长与盈利修复，同时亦可能加剧资本市场整体波动，对ETF产品净值产生间接冲击。
3）发生重大预期外的宏观事件地缘政治冲突、国际金融市场剧烈动荡、突发性公共卫生事件等不可预见因素，可能在短期内打破市场平衡，引发风险偏好急剧变化和资产价格剧烈波动。科创板芯片板块科技成长属性突出、估值弹性较大，事件冲击下净值回撤往往更为显著。投资者应充分认识相关风险，根据自身风险承受能力合理控制仓位，避免极端行情下非理性决策。
4）指数及行业特有风险上证科创板芯片设计主题指数成分股高度集中于芯片产业链，若半导体行业景气度下行、技术路线发生重大变革或细分领域竞争加剧，可能引致指数大幅调整。当前指数估值处于历史较高水平，若成分股盈利增长不及预期，高估值可能面临修正压力。ETF产品虽采用分散化投资策略，但无法完全规避行业风险。
风险提示：本基金投资于证券市场，投资者在投资本基金前，需充分了解本基金的产品特性，并承担基金投资中出现的各类风险。上述基金由广发基金管理有限公司发行与管理，代销机构不承担产品的投资和兑付责任。投资前请认真阅读上述基金基金合同和招募说明书等法律文件，充分了解本基金详情及风险特征。上述基金是股票型基金，风险与收益高于混合型基金、债券型基金与货币市场基金，具体风险评级结果以基金管理人和销售机构提供的评级结果为准，请投资者选择符合风险承受能力、投资目标的产品。基金有风险，投资须谨慎
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