各位，顶级存储HBM越来越光学化，赛微电子有新战场！

宝赛微电子的技术储备与HBM4封装工艺高度契合：

1.TSV硅通孔，是最核心关联。HBM4通过TSV实现3D堆叠。赛微电子是全球最早实现TSV量产的企业之一，2025年报显示其技术国际领先。公司具备完整的8英寸晶圆级TSV加工能力，且该技术可用于HBM制造。
2.硅基结构件与导热通道：HBM4内嵌散热需硅基导热通道。赛微电子能提供硅中介层等硅基结构件，其TSV微沟槽技术能制成精密硅基散热通道。
3.玻璃基板（TGV）技术：赛微电子已掌握玻璃通孔（TGV）工艺，同样国际领先。玻璃基板在平整度和热稳定性上更具优势，是先进封装的重要方向。
4.硅基微通道液冷：可在芯片衬底打造微米级流道，实现嵌入式液冷。该技术适配3D堆叠芯片散热，且与华为“韬定律”技术路线高度契合。
5.晶圆键合与混合键合：这是光链接国产化最难的技术，赛微电子已突破，而且2025年年报显示国际领先。HBM4将采用混合键合技术。赛微电子持续升级晶圆键合工艺，能够匹配铜铜混合键合等先进封装路线。