电子铜箔持续升级向更低表面粗糙度迭代，以降低高频高速信号的传输损耗。电
子电路铜箔一般较锂电铜箔更厚，大多在12-70μm。在相同频率下，每个铜箔的
表面粗糙度越小，信号损耗越小。HTE铜箔Rz可控制在4.5μm以内，RTF1-3
逐步从3.5μm降至2.1μm，HVLP1-5进一步从1.5μm降至0.5μm。可以看出，
铜箔更新迭代的核心是降低表面的粗糙度。AI通信速率的不断提升，将持续推
动铜箔需求向低粗糙度方向升级。
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