猛料五:DRAM Q3涨幅高于预期,存储原厂业绩强势回暖!
事件:据权威机构最新报告,持续涨价三个季度后,今年Q3,DRAM(一般型内存)延续强势涨价。Q3预估Conventional DRAM合约价涨幅将高于先前预期约5个百分点。
点评:该消息利好存储芯片板块。去年存储芯片行业一片哀鸿,今年则在下游消费电子加速复苏,以及AI产业需求强劲带动下,整个行业都出现了明显的业绩拐点。
从目前存储芯片的提价幅度来看,今年全年相关企业的业绩将保持高速增长,明年依旧将延续高增,但增速会较今年有所回落。A股市场方面,今年5月、6月在大盘表现极为疲软的情况下,
存储芯片板块表现较为坚挺。交易数据显示,当时机构介入力度较大。不过在6月后,随着机构调仓到其他方向,板块的活跃度也明显降低。目前整个板块已经调整了3个月,主要下跌期基本走完。
炒作周期:中线
爆发力度:★★★
操盘策略:存储芯片是今年业绩拐点较为明确的半导体分支,所以年内机构加仓的概率较大。此前存储芯片虽然一度被机构买入,但是板块受到大盘拖累并没有太大的表现。所以在蓄势充分后,只要大盘稳定下来,有耐心的投资者依旧可以考虑轻仓逢低介入!
相关公司:通富微电(002156)、长电科技(600584)、兆易创新(603986)、国科微(300672)等。
![](http://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20240820/5A6DE0B7D5F9EBECE730A690E8551FB2_w1080h657.jpg)
![](http://gbres.dfcfw.com/Files/picture/20240820/EB826FB60355C5B01BCE4152D74451AC_w1080h416.jpg)
追加内容
本文作者可以追加内容哦 !