肇万研究札记：光伏ALD技术介绍

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薄膜沉积工艺主要分为物理和化学方法两类，细分工艺包括PVD、CVD、ALD等。薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料膜层，使之具备一定的特殊性能，可用物理或化学方法制备。ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应，特点是逐层形成薄膜。ALD技术广泛适用于光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多领域。典型的热原子层沉积（TALD）技术是利用加热为薄膜沉积过程中的化学吸附提供活化能，通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜10次/层约为1nm。

ALD技术相较PVD和CVD特点是制备的薄膜均匀、致密性、台阶覆盖率更优良。由于ALD技术表面化学反应具有自限性，因此拥有多项独特的薄膜沉积特性：1、三维共形性，广泛适用于不同形状的基底；2、大面积成膜的均匀性，且致密、无针孔；3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。相较传统CVD、PVD技术，ALD技术制备的薄膜均匀性更强、阶梯覆盖率更高，更适用于新型光伏电池片及半导体先进制程领域的镀膜。ALD工艺在光伏新型电池片工艺如TOPCon中具备优势，由于ALD技术的表面化学反应具有自限性，因此拥有优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，在技术更加先进的光伏电池片及半导体制造工艺中，ALD工艺优势更加明显。

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