目前，半导体材料已发展至第四代，其功能更强、能耗更低、可制造体积更小的器件。第四代半导体主要向两个方向发展，分别是超宽带隙半导体材料、窄带隙半导体材料。根据新思界产业研究中心发布的《2022-2026年锑化物半导体行业深度市场调研及投资策略建议报告》显示，锑化物半导体是III-V族窄带隙半导体材料，具有电子迁移率高、导电性强、超低功耗等特点，在第四代半导体材料中占据核心地位。
锑化物半导体工作在红外波段，与工作在紫外线波段的超宽带隙半导体应用领域存在差别。锑化物半导体可以广泛应用在探测器、传感器、遥感器、激光器、光电芯片、医学成像等领域。锑化物半导体可用作红外探测器敏感材料，产品均匀性好、良率较高、带隙可调控，可生产尺寸更大的衬底，制造高性能的红外焦平面阵列探测器，已经成为红外探测器的主流材料。在光电芯片领域，锑化物半导体的电子迁移率高于前三代材料，在制造超高速、超低功耗芯片方面潜力巨大。
作为新一代半导体材料，锑化物半导体制备与应用技术直接关系到高科技产业发展步伐，因此西方国家将其技术与产品进行出口封锁。2005年以来，我国锑化物半导体自主研发速度加快，目前已经实现多种细分产品自主制备，例如锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）、铟镓砷锑（InGaAsSb）等，主要研究机构有中科院半导体研究所、中科院上海技物所、昆明物理研究所、华北光电技术研究所等。
我国锑化物半导体产业化步伐也在加快。2021年9月，晋城市光机电产业研究院引进中科院半导体研究所技术成果，建设的锑化物半导体项目进入试运行阶段，预计2022年锑化物半导体芯片产能将达到1万块。这是我国首条第四代半导体生产线，随着其逐步进入投产期，我国锑化物半导体自主供应能力将不断增强。
我国锑化物半导体行业发展具有原材料优势。金属锑（Sb）是不可再生资源，在地壳中丰度很低，仅为万分之一，我国是全球最大的锑资源存储国，储量在全球总储量中的占比达到50%以上，我国也是全球最大的锑生产国，年产量在全球总产量中的占比达到70%以上。锑化物半导体作为第四代半导体材料的重要发展方向之一，国产锑将优先供给国内市场，利好我国锑化物半导体行业发展。
新思界行业分析人士表示，锑化物半导体是新一代窄带隙半导体材料，综合性能优异，成品率较高，在半导体产业中具有巨大市场潜力。目前我国具备锑化物半导体自主研制能力，产业化发展步伐也在加快，叠加我国是全球金属锑产出大国，可供应充足原料，我国锑化物半导体行业发展前景广阔，率先进入市场布局的企业将具有先发优势。
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