#日本出口管制新规影响几何？#
消息面上，美光推出业界首款8层24GB HBM3 Gen2内存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。HBM3 Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。
美光表示，24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。美光介绍，第二代HBM3产品与前一代产品相比，每瓦性能提高2.5倍，可帮助缩短大型语言模型（如GPT-4及更高版本）的训练时间，降低总体拥有成本（TCO）。
中信证券表示：存储价格底部明确，高端产品价格有望率先回暖。关注国内厂商在HBM领域的发展机遇。我们认为，随供给侧海外原厂稼动率调整效果在23H2逐步显现，并且随品牌厂商新产品发布和消费传统旺季到来，下游需求有望逐步回暖，存储供需关系将持续改善，带动整体存储价格温和回升，高端存储价格有望率先开启涨势。根据Bloomberg,6月DRAM价格延续下跌趋势但跌幅收窄至0.98%-3.85%，NANDFlash价格趋稳，跌幅为0.00%-1.42%;23Q2来看，根据TrendForce,23Q2DRAM跌幅收缩至13%-18%，(PC及ServerDRAM跌幅为15%-20%;MobileDRAM跌幅为13%-18%），NANDFlash价格跌幅为10-15%。HBM方面，受制于高技术壁垒，目前全球仅SK海力士、三星、美光能够稳定供应（根据TrendForce，2022年三家份额分别为50%/40%/10%），国内企业尚处于技术储备期。我们认为，HBM在Al服务器需求驱动下将快速放量，国内厂商有望从率先从封测端取得进展，逐步导入模组端，长期受益于Al发展浪潮。（以上观点来自中信证券研报《半导体：从海力士财报看存储复苏周期与HBM前景》）
投资半导体芯片，可关注芯片龙头ETF（516640），场外投资者可以关注富国中证芯片产业ETF发起式联接（A：014776/C：014777 ）（注：以上产品风险等级均为R4，基金有风险，投资需谨慎）
$芯片龙头ETF(SH516640)$$中芯国际(SH688981)$$北方华创(SZ002371)$
风险提示：指数历史表现不代表未来，也不构成基金业绩表现的保证。以上内容不代表对市场和行业走势的预判，也不构成投资动作和投资建议，且可根据市场情况变化而调整。基金有风险，投资需谨慎，建议持有人根据自身的风险承受能力审慎作出投资决策。
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