三安/意法合资SiC衬底项目预计2024年8月份提前投产半导体材料行业分会202

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据重科城微报消息，作为重庆在半导体领域的又一旗舰项目，位于西部（重庆）科学城的三安意法半导体项目在春节期间不停工，建设取得快速进展，预计年内亮灯通线，比原计划提前2个月。

三安意法半导体项目，包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业，以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

其中，车规级功率芯片制造企业，由国内化合物半导体龙头企业三安光电和国际半导体巨头意法半导体合资设立，规划总投资约32亿美元。达产后，每年能生产48万片8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片，在行业处于领先水平。目前，项目主厂房已经封顶，正在进行室内装修和设备采购。

安意法半导体有限公司总经理张洁博士表示：“乐观地预计，在今年的8月和11月，我们能够分别进行衬底厂和芯片厂的点亮投产。达产以后 ，会达到每周一万片8吋碳化硅MOSFET芯片的产出水平，主要是应用在新能源汽车主驱逆变、充电桩和车载充电器上。

据了解，8吋碳化硅车规级MOSFET功率芯片目前在新能源汽车领域供不应求。为了帮助企业早建成早投产，重庆各级部门以及科学城组建专班，从项目的窗口指导到公司注册、设计和工程招标，提供了专业的服务保障，推动项目建设跑出了“加速度”。

“比如说这个项目的窗口指导，从地方报到中央，大概需要两到三个月的周期。我们仅仅经过20多天，就得到了政府的正式许可，应该说是非常快的速度。我们切身感受到重庆有非常好的营商环境，可以说是逢山开路、遇水架桥。”张洁说。